实验十五用光学多通道分析器研究发光二极管光谱.docVIP

实验十五 用光学多通道分析器研究发光二极管光谱 光谱分析是研究物质微观结构的重要方法，它广泛应用于化学分析、医药、生物、地 质、冶金和考古等部门．常见的光谱有吸收光谱、发射光谱和散射光谱．涉及的波段从 x 射线、紫外光、可见光、红外光到微波和射频波段．本实验通过测量发光二极管的发射光 谱，使大家了解发光二极管的主要光学特性和光谱测量的基本方法． 【实验目的】 1．了解发光二极管发射光谱； 2．测量发光二极管相对输出光强iv 和正向电流If 关系； 3．掌握多通道分析器的原理和使用方法． 【实验原理】 1．发光二极管的光学特性 半导体发光二极管与普通二极管和双极晶体管一样，具有低工作电压和低阻抗特点， 是一种电流型器件。发光二极管体积小、重量轻、寿命长、结构牢固、工作可靠，已得到 广泛应用。 发光二极管根据芯片发光波长可以分成红色、橙色、绿色、兰色和多色等数种类型。 发光二极管主要光学性质有 （1）发射光谱曲线 图（1）发光二极管发射光谱曲线 图（1）给出了典型发光二极管发射光谱曲线。发光二极管发光峰值波长λ p 由半导体 - 80 -  材料的能隙宽度或发光中心的能级位置确定。它决定了LED的发光颜色，光谱半宽度Δλ标 志光谱的纯度，同时可以衡量半导体材料中对发光有贡献的能量状态离散程度，典型发光 二极管的光谱半宽度为20~100nm。 （2）发光强度Iv和正向电流If 关系曲线 10 曲线1 8 6 4 曲线2 2 0 0 10 20 30 40 50 正向电流 If ( mA ) 图（2）发光二极管发光强度Iv和正向电流If 关系曲线 图（2）给出了二种典型的发光二极管发光强度Iv 和正向电流 If 关系曲线，其中曲线 （1）随正向电流增加而线性上升，且不饱和，而曲线（2）增加得慢且迅速饱和。 2．光学多通道分析器（OMA） 利用现代电子技术接收和处理某一波长范围（λ1～λ 2）内光谱信息的光学多通道检测系 统的基本框图如图3 所示． 图3 光学多通道检测系统的基本框图 入射光被多色仪色散后在其出射窗口形成λ1 ~ λ 2的谱带．位于出射窗口处的多通道光 电探测器将谱带的强度分布转变为电荷强弱的分布，由信号处理系统扫描、读出、经A / D 变换后存贮并显示在计算机上． OMA 的优点是所有的像元（N 个）同时曝光，整个光谱可同时取得，比一般的单通道 光谱系统检测同一段光谱的总时间快N 倍．在摄取一段光谱的过程中不需要光谱仪进行机 - 81 -  械扫描，不存在由于机械系统引起的波长不重复的误差；减少了光源强度不稳定引起的谱 线相对强度误差；可测量光谱变化的动态过程． 多色仪及光源部分的光路见图．光源S经透镜L成像于多色仪的入射狭缝S1，入射光经 平面反射镜M1转向90°，经球面镜M2反射后成为平行光射向光栅G．衍射光经球面镜M3和 M4成像于观察屏P．由于各波长光的衍射角不同，在P 处形成以某一波长λ0为中心的一条光谱带，使用者可 在P上直观地观察到光谱特征．转动光栅G可改变中心 波长，整条谱带也随之移动．多色仪上有显示中心波 长λ0的波长计．转开平面镜M4可使M3直接成像于光电 探测器CCD上，它测量的谱段与观察屏P上看到的完全 一致． CCD 是电荷耦合器件（Charge-Coupled Device） 的简称，是一种以电荷量表示光强大小，用耦合方式 传输电荷量的器件，它具有自扫描、光谱范围宽、动 态范围大、体积小、功耗低、寿命长、可靠性高等优 点．将CCD 一维线阵放在光谱面上，一次曝光就可获 得整个光谱．目前，二维面阵CCD 已大量用于摄像机 图4 CCD 结构图 和数字照相机． CCD的结构如图4 所示，衬底是P型Si，硅表面是一层二氧化硅薄膜，膜上是一层金属 作电极，这样硅和金属之间形成一个小电容．如果金属电极置于高电位，在金属界面积累 了一层正电荷，P型半导体中带正电荷的空穴被排斥，只剩下不能移动的带负电荷的受主杂 质离子，形成一耗尽层，受主杂质离子因不能自由移动对导电作用没有任何贡献．在耗尽 区内或附近，由于光子的作用产生电子-空穴对，电子被吸引到半导体与SiO2绝缘体的界面 形成电荷包，这些电子是可以传导的．电荷包中电子的数目与入射光强和曝光时间成正比， 很多排列整齐的CCD像元组成一维或二维CCD阵列，曝光后一帧光强分布图将成为一帧电 荷分布图． 我们采用的是具有2048 个像元的CCD一维线阵，其光谱响应范围为200~1000 nm，响 应峰值在550 nm，动态范围大于210．每个像元的尺寸在14 μm×14 μm，像元中心距为14 μm，像敏区总长为28.672 mm．多色仪中M2，M3的焦距302 mm，光栅常数为1 / 600 mm， 在可见光区的线色散Δλ /Δl（光谱