基于E―PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究.docVIP

基于E―PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究 　　摘 要：基于GaAsE-PHEMT工艺，采用负反馈和宽带有耗匹配技术，实现宽带、高线性MMIC放大器芯片；基于多层陶瓷工艺，制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者，基于多物理场联合设计、仿真和优化，实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放大器频率覆盖DC～3GHz，增益大于14dB，P-1功率大于23.5dBm；P-1下PAE大于40%，OIP3大于39dbm，噪声小于3.4dB，输入驻波和输出驻波小于1.5（2GHz）。采用恒流镜像偏置，+5V单电源供电，工作电流小于110mA，封装尺寸仅为4.5mm×2.5mm×1.8mm。可广泛应用于通信等领域。 　　关键词：E-PHEMT；MMIC；高线性；宽带；微型封装 　　中图分类号：TN722 文献标识码：A 　　0. 引言 　　近年来，通信领域飞速发展，牵引了相关器件和电路的快速发展，也增大了诸多需求，尤其是对宽带、高线性和高效率以及小尺寸封装放大器的需求，使其成为当前研究的热点。 　　目前，制作高线性和高效率放大器的制作技术主要有GaAsHBT和GaAs D-PHEMT技术，它们各具优势和不足，而GaAs E-PHEMT技术，继承了D-PHEMT技术的诸多优势，同时具有单电源、高跨导和高线性等特性，可以媲美HBT技术，是实现高线性、高效率和单电源