200+MHz高传输效率薄膜变压器的设计与制备.pdfVIP

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2017-03-15 发布于广东
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第19卷第5期传感技术学报 V01．t9No．5 AND 2006年10月 CHINESEJOURNALOFSENSORSACTUATORS Oct．2006 and Hi Thin-Film DesignPreparationEfficiency Transformerat200MHz ZHENGLiang。，QINHui—bin，HUJi，XUJun-ming，YELi—yun，LIUJian (School Dianzi 310018，China) ofElectronicInformation，HangzhouUniversity，Hangzhou novelmicrowaveferritethin-filmtransformerbasedonSiIC was Abstract：A technology wasusedto ferritethinfilmon ferritefilmofsurface Si02 magnetronsputtering prepare layer．The ap— crackobservationofSEM．EDS ofthinfilmshowedthatthinfilmhas pears by analysis poor to orA1film．These ofthinfilmwithIC wereresolved Si02layer compatibleproblems technology through modificationand treatmentaddition．Thethin-filmtransformerwasfabrica- sputteringparameters heating andtransmissionhavebeen ted measuredat20MHz～210 resultsshowed parameters MHz．Experience thatthemaximaland ofthethin-filmtransformersis 90MHz210 V■radio 79％at V0。t approximately thethin-filmtransformerhasfinewaveformtransmissionat20MHzto210 MHz，and ability MHz． ferrite words：thin-filmtransformer；ICtechnology；microwave Key EFACC：2140；2560Z；3120N 200MH z高传输效率薄膜变压器的设计与制备郑梁‘，秦会斌，胡冀，徐军明，叶丽云，刘建 (杭州电子科技大学电子信息学院，杭州31001