217GHz高Q射频薄膜体声波谐振器的研制.pdfVIP

第27卷第5期 声学技术 vol”．No5n．2 2008年10月 TechiadA∞usd璐 0c￡2008 2．1 7GHz高0射频薄膜体声波谐振器的研制 汤亮，郝震宏，乔东海 (十目“{Rp々日Rm．，≠#nm女§i，#女．100l∞) ofA2．17GHzRFFiImBulkAcoustjc Devel叩ment Hi曲-Q 1MG LjaⅡ＆HA0zben-hon＆OIAODong-hai 伸伽蛐oM”w可胁d_*们∞“蕊“眦^c以删y可＆啪c鹤脚％J∞J卿 l引言 ■氧化硅(uD)；再采用u帅双面沉积低应力 消费娄电子产品和个人通讯系统市场的快速 siN。。这样在正面形成siN船iO√siN，复合膜，用 扩张，引起了对无线通信系统(如掌上电脑、手机、 来作为支撑结构。在背面采用干法刻蚀siN，，形成 导航系统、卫星通信以及各种数据通信)的极大需 体刻蚀宙口。在硅片正面磁控溅射啊『Au薄膜，光 求。制备高性能、小尺寸、低成本的单芯片射频系 刻腐蚀形成FBAR器件的下电极；在下电极上直流 统成为目前研究的个热点。薄膜体声波谐振器 磁控溅射沉积zⅡ0压电薄膜．光刻廊蚀形成压电 (H|mBumAc。uslicRes衄alor，FBAR)是最近几 层：为了防lI：zno薄膜可能存在的针孔引起器件短 年来研究很热的一种采用MEMs技术实现的射频路，在znO薄膜上沉积slN船i0弗iN，膜作为绝缘 谐振器。它是制作在硅或砷化镓基片L，主要南金 层，并于法刻蚀露出下电极接触：再采用剥离光刻 属电极／压电薄膜／金属电极构成的一种器件。在某 胶的方法磁控溅射刖Mu薄膜，形成上电极。最后 些特定的频率下，FBAR器件表现出如石英晶振一将硅片放入体刻蚀装置中，采用温度为80℃浓度为 样的谐振特性，因此可被措建成振荡器或滤渡器应 30％的∞H溶液进行体刻蚀．形成薄膜结构。该 用于现代通讯系统中Il__“。相对于传统用来构成带器件的有教直径为200岬，整体尺寸为 通滤波器及微波振荡源的Lc振荡器、舟质谐振器 l2x12x03mm3。器件的结构如图l所示。 及声表面波(sAw)器件而言，FBAR器1串除了具m、f与扫萱宣i萱辞、、、7 有小尺寸、低功耗，低插^损耗以及高工作频率 V’ zn0＼／ (050Hz～lOOIIz)的优点之外，更重要的是它的 制备工艺可以与cMOs工艺兼容，因此可与外围电 路构成单芯片系统。 ““、海iirl 本文主要研制了一种谐振频率高达217GHz的 目1自{∞F队R*### F*㈥∞＆㈣n 射频薄膜体声波谐振器，其尺寸为I2x12x03mm’． 0值达到972； 3测试结果及分析 2器件的制各 本文采用田8753D射频网络分析仪对制备的 薄膜体声波谐振器进行s参数测试，测试采用单端 本文采用zⅡ0压电薄膜作为薄膜体声波谐振 口接法．即器件的一端接谭，另一端接地。 嚣的压电材料，Au作为上下电极材料，∞作为Au FBAR器件在某一谐振频率附近可以采用 电极的粘附层，sjN√si0舶iN