3CSiC薄膜的ICP刻蚀研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 3C—SiC薄膜的ICP刻蚀研究冰 巩全成”宁瑾1孙国胜1高见头’王雷1李国花1曾一平1李晋闽1李思渊2 (1中国科学院半导体研究所北京100083) (2兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州 730000) 晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究，得出来优化的刻蚀条件，该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可 以获得较陡直的侧墙。不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响，用纯CHF3或CHF3与02的混合气 作为刻蚀气体时，刻蚀速率较慢，相同条件下，加人sF6刻蚀速率有较大的提高，主要是由于sF6具有 比CHB高的自由【F1基生成率。用优化的刻蚀条件对用来做谐振器的多晶3C—SiC进行了深刻蚀，后用 HF将SiC层下的SiO：释放掉，得到了悬空的谐振器结构。 关键词：IcP，刻蚀速率，3C—SiC，SiOz，谐振器 1．引言 SiC是一种宽禁带半导体材料，在约930。C的温度下仍能保持低的本征载流子浓度，它的击穿场强 是si的10倍…；其硬度大且化学稳定性好，同时具有较高的电子饱和漂移速度和高热导率，在制作大 腐蚀o，而半导体器件制造工艺中人们对刻蚀条件和质量有着严格的要求，包括低腐蚀温度、刻蚀后 良好的表面质量及高腐蚀分辨率等，所以对SiC只能用干法刻蚀。人们期望的SiC刻蚀具有刻蚀速率 高，高各向异性，侧墙陡直，表面平坦无残留物，然而实际上较难达到。与RIE刻蚀工艺相比，ICP刻蚀 产生的等离子体密度高，而且离子能量低，减小了晶格损伤和对掩膜的刻蚀，而且对寻找优化刻蚀条 alpha一Ⅱ台阶测试仪来测量台阶高度以确定刻蚀速率，用SEM观察了台阶形貌。通过大量实验，得出 了ICP刻蚀的优化条件，可以具有较快的刻蚀速率并且获得较陡直的侧墙。并采用该条件对用来做谐 振器的多晶3C-SiC进行了深刻蚀，后用HF将SiC层下的SiOz释放掉，得到了悬空的谐振器结构。 2ICP实验样品准备 通人刻蚀气体之前，腔体内本底压强为5xlo．3Pa左右，为减小刻蚀过程中温度的剧变对基片的损 坏，采用He气来冷却。 +本项目受国家自然科学基金项目资助。项目批准号：604060lO 一311— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 得到最终的ICP实验样品。 I．：．幡一宣一∞c3c一凸叱)( 2e∞egree) 图1SiOz／Si(100)衬底上LPCVD生长的SiC膜的X一射线衍射谱，在 35．50出现了SIC(111)峰，表明表面SiC膜是3C-SiC。 3．ICP实验及结果讨论 3．1．不同刻蚀气体对3C—SiC刻蚀速率的影响 我们采用的刻蚀气体是CHF3、SF6、02三者两两组合，或三者按一定配比混合成的气体。采用的 蚀速率示于表1。 表1不同刻蚀源气体对SiC刻蚀速率 从表1可以看出三种混合刻蚀气体的刻蚀速率最高．为5470^_／min，无02时。刻蚀速率有所下 蚀速率最小，为2060jk／min。 用纯的F基气体刻蚀时，通常F基与SiC表面上的Si之间的反应为 Si+4F—SiFI (1) 一312一 2005年12月 第十三届全圈电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 与刻蚀气体反应释放出更多的旧基，另一方面，刻蚀反应过程中聚积的C与02也发生反应，生成挥发 刻蚀速率最小，是由于气氛中缺少O：，C层得不到有效的刻蚀，此时限制刻蚀的因素是C层的去除，而 去除起了一定的促进作用。 3．2．3C-SiC深刻蚀工艺的研究 CI-IF3作为刻蚀气体时，气体本身含有C元素容易造成c浓度