原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Al2O3薄膜的制备及在无机EL的应用.pdf
材料及器件
2006
863”资助项目。NO：2001AA311030
A1203薄膜的制备及在无机EL的应用
徐毅，林明通，陈涛，肖田，黄浩，陈晨曦
上海广电电子股份有限公司平板显示技术研究开发中心，上海200081
摘要
X12
纯Al靶含有1wt％si，尺寸56cm2。溅射气体为o。
A1203薄膜是最为成功的无机EL绝缘薄膜之一。用脉冲反应
溅射法制备了厚为50—340nm的A1203薄膜。研究了功率密
纯度为99．999wt％)。薄膜的介电性能优化采用MIM结构，
度、气压和氧气含量等参数对薄膜沉积速率和介电性能的影
响。发现在较低功率密度、气压和较高氧气含量下沉积的薄
cm：。薄膜
子束蒸发的Al，呈正方形，有效电极面积0．4625
膜的品质因子较好。同时与电子束蒸发的A1203薄膜的介电
厚度测试在Tencor台阶仪上进行，介电性能在自组装的改
性能作了比较，脉冲反应溅射制备的A1203薄膜的漏电流密
度要低两个数量级。把上述薄膜应用于ZnS：MnTFEL器件
试频率为20kHz，击穿场强的测试采用0．2MHz的三角波，
中，获得了最好的耐压大于320V、亮度达1760cd·m～。
通过示波器上的电流波形的变化判断介质是否击穿，测试漏
电流密度的电流计的测量范围10—3—10—10A。测试温度为
20
关键词 oC。
脉冲反应溅射；电子束蒸发；氧化铝薄膜；沉积速率；介电 溅射功率优化和速率测试的工艺条件：频率为70kHz，
性能；无机EL器件 占空比为30％，基片温度为150oC，气压为0．8Pa，Ar／02
sccm：60
流量比为230 sccm，工作电流为1．0—4．0A，工作
V。
1．引言 电压为363—632
kHz，占空
气压优化和速率测试的工艺条件频率为70
A1，O，薄膜具有优良的透明性、化学稳定性、电绝缘性、
比为30％，基片温度为150oC，工作电流为2．5A，工作电
热阻、力学强度和硬度，在光学、微电子学、光电子学和力
压为520—528V，Ar／02比为230sccm：60sccm，气压在0．
学方面有着广泛的用途。A1。O，薄膜有许多种制备方法，如电
3—1．8Pa之间。
子束蒸发法、射频磁控溅射法、直流反应溅射法、脉冲反应
氧气含
文档评论（0）