BaSrTiO3薄膜同质外延生长的计算机模拟.pdf

丝 笙 丝 堕 2006年增刊(37)卷 (Ba，Sr)TiO。薄膜同质外延生长的计算机模拟+ 谭浚哲，张青磊，吴家刚，朱基亮，朱建国，肖定全 (四川大学材料科学与工程学院，INJlt成都610064) 摘要：利用Monte Carlo方法，采甩局期性边界条类ABOs型薄膜韵实验观察结果相吻合。也就是说， 件，并基于ABOa型氧化物晶胞自组装特性和Solid 本文的模拟结果可用于与实验结果的比较研究。 onSolid模型，对ABO。型多元氧化物薄膜的同质外 2模型的建立 延生长的生长模式进行了计算机模拟。模拟中考虑了 晶胞在基底表面上的扩散，以及在层间的扩散。选取 以本课题组“1’”3所建立的模型为基础，整个事件 on 合适酌模拟参数条件，模椒由了(BaSr)TiO。(BST)外是基于Solid Solid模登，以晶胞的生长和扩散为基 延薄膜生长的形貌演化图；得到了薄膜生长条件与薄 础。模型对于BST薄膜的生长过程考虑基于TSK机 膜生长模式之间的关系。该模拟结果与文献报道的对 制，采用立方体晶格空间和周期性界面条件。薄膜首 BST和PbI、i03这类AB03型薄膜的实验观察结果相先形成BST基元晶胞，然后晶胞在基底上进行扩散， 吻合。 凝聚成岛。其中MonteCarlo事件包括晶胞的沉积和 关键词： Monte Carlo模拟；AB03型薄膜：薄膜生 扩散。选取100×100的基底，被轰击出的粒子源带有 长；BST薄膜 沉积能量以晶胞形式在同一平面内，以及层阅扩散。 中图分类号：0484 文献标识码：A 具体的扩散基本过程在本组文献““”3中有报道。 文章编号：1001-9731(2006)增刊一0308—03 3模拟参数的选择 l 引 言 在模拟同质外延薄膜生长的过程中，本文所选取的 ABO。型薄膜具有优良的压电性能，介电性能，热 沉积能量为0．35eV，晶胞在平面内的扩散和在层问上 释电性能，铁电性能和光电性能，可以广泛运用在微电 下的扩散，选取的扩散激活能大小与文献[8，9]中近似， 子学、光电子学、集成光学和微机械学等领域。本文模 V，=O．35eV，代表晶胞在层问扩散所需要的能量。而 拟的(BaSr)TiO。(BST)#b延薄膜目前主要具体运用于对于我们这个模型还要选取一个打破晶胞问键能所需 高密度动态随机存储器“]，以及下一代超大规模集成 要的能量的参数，V。一o．55eV。对于氧化物薄膜的沉 电路动态存储器(ULSIDRAM)o]，热释电红外探测 器口’“．介质移相器o“3等方面。 的沉积速率为0．01、0．1，lml／s3个条件。而对于制备 吕前制备高质量的BST外延薄膜主要运用PLD， 右，因此选用的衬底温度是600～1000K。 LMBE口。83等方法。在半导体工艺中，对于在集成器件 上制备薄膜，高质量的外延薄膜对其制备出来的器件 4结果和讨论 性能有很大的影响，所以研究薄膜的生长模式和生长 条件对其外延薄膜的形貌影响有重要的意义。同时薄 在本课题组已有程序的基础上，