CuAl合金粉末直接氧化法制备弥散铜氧源的新工艺.pdfVIP

——重有色合金—————————————带种铸造及有色合金 Cu．AI合金粉末直接氧化法制备弥散铜氧源的新工艺 摘 要 在研究内氧化法制备A1203弥散强化铜基复合材料的基础上提出了Cu．AI合金粉末直接氧化法制备弥散铜氧源的新 工艺，制备了Cu-O．IAl和Cu-0．2A1两种合金粉末的氧源，并采用该氧源进行了内氧化试验。结果表明：采用该氧源制备的弥散铜 性能优越，该工艺可通过控制氧源制备过程中的加热温度和时间来调整氧源的含量，以达到更好地控制内氧化和还原工艺参数的 目的，工艺过程简单，生产成本低。采用2～3moVL的HCl溶液作溶剂，水浴浸取15rain，可以实现氧源中金属铜的分离和测定。 关键词：直接氧化法；氧源；内氧化；分离和测定 A1：0，弥散强化铜基复合材料(简称弥散铜)因在放人加热炉中加热时，合金粉末中的Al优先被氧化成 高温下兼有高强度和高的导电导热性能，在计算机引线 框架、连铸机结晶器、替代银基触头材料等方面具有其 他材料不可比拟的优点，有着广阔的应用前景¨。]。内 CuO粉较多，故混合粉末呈现黑色。该流程中发生的化 氧化法是目前规模化生产弥散铜的最佳方法，而内氧化 学反应为： 介质(氧源)、温度和氧分压是影响内氧化的3大要素， 2AI+3／202=A1203(1) 因此氧源制备或选择至关重要。该法制备的弥散铜按 Cu+1／202=CuO(2) 2Cu+1／202=Cu20(3) J。 供氧介质(氧源)可分为3大类[5q 在该过程中提高加热温度可以加快反应速度，但温 (1)Cu：0粉末分解直接供氧Cu：0粉末供氧的 度过高时粉末容易烧结，一般选在600K左右加热足够 关键是Cu：0的分解，即将一定比例混合的Cu：0和Cu- 长的时间以保证Cu．m合金粉全部被氧化。 灿合金粉末装在密闭容器内，降低氧分压使Cu：0分解 由文献[8]热力学分析可知，将加热后的混合粉末 释放活性[0]，[0]通过扩散与Al结合成A1：0。。Cu：O h，CuO将分解生成Cu： 在高纯N：气保护气氛下加热2 在分解供氧时，介质氧分压等于上限Po，．且与温度始终 0，发生的化学反应为： 保持在自然的匹配关系，可最大限度的发挥内氧化供氧 2CuO=Cu20+1／202 (4) 能力，缩短完成内氧化所需时间，但该方法需介质封装， 由于不可能完全反应，所以反应产物中还有Cu和 为规模化生产带来不便。 残余的CuO，此时混合粉末的成分主要为Cu：0，故呈现 (2)N：+02供氧N2+02作供氧介质时，不需封装， 红褐色。 但介质中氧分压的调节必须与温度的调节匹配。而超低 氧分压的精确控制是难以实现的，因此一定温度下为了防 发生分解反应： 止Cu的氧化，实际介质氧分压要小于上限，同时，N：又占 (5) CuO=Cu+1／202 据了大部分吸附位，所以内氧化进行得很缓慢。