C轴择优取向ZnO薄膜的微区压电特性分析.pdfVIP

2005年lO月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 of Science Issue2 Sichuan Edi．tion) VoI．42 第42卷增刊2 Joumal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)022-0371．04 C轴择优取向ZnO薄膜的微区压电特性分析 程和’，李燕，邓宏 (电子科技大学微电子与固体电子学院．成都610054) 摘要：采用激光脉冲沉积系统在Si(100)村底上制备了znO薄膜利用x射线衍射方法对其结 构进行了表征，结果表明，所制备的ZnO薄膜具有优良的c轴取向和高质量的结晶度采用扫 描隧道显微镜剥得ZuO薄膜微区的压电常数d33大约为13．8pm／V．并根据微区压电特性与 ZnO薄膜的生长具有极性的特点对薄膜的生长机理进行了研究．得出了ZnO的生长方向为 [0001】，从而证实了ZnO薄膜生长过程中(0001)Zn面是易生长面． 关键词：ZnO薄膜；择优取向；微区压电特性；极性 中圈分类号：TN304．055文献标识码：A l引言 ZnO薄膜在{显多领域有着广阔的应用煎景，尤其是在光电子学等交叉学科领域中，用于声表霭溲器件[”、 方向具有更大的压电系数．因此制备c轴择优取向的ZnO薄膜是获得高压电性能的关键．研究表明很多 子按六方紧密堆积排列，每个锌原予周固有4个氧原子，构成[zn04]”配位四面体结构，四面体的一个 顶角均指向C轴负方向；相应四面体的底面平行于(0001)面．由于锌原子与氧原子在c轴方向上不对称 术、Ohnishi等¨2J使用同轴冲击碰撞离子方法，对ZnO薄膜的极性生长做过一些研究．我们利用激光脉冲 沉积制各了高质量的ZnO薄膜，采用扫描隧道显微镜测得ZnO薄膜的压电系数以及根据薄膜所受应力与 电场方向的关系判断ZnO薄膜的生长方向是[oooi]。 2试验 采用PLD技术沉积ZnO薄膜．实验使用德国LAMBDA 射线衍射谱仪(ⅪD英国BedeD1)和原子力显微镜(AFM日本Seiko SPM3000)进行结构与表面形貌的 表征；采用扫描隧道显微镜(STM)测量其压电系数及压电响应曲线． 3结果与讨论 对ZnO一维薄膜材料进行了XRD分析．其结果如图1所示，由图1可见制备的ZnO薄膜有单一的 收稿日期：2005．09．01 *Emai[：yNtaechC@163．∞m 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 0．16～0．19‘． 圈1 zno薄膜的XRD (a)薄成的2口扫描；(b)摇摆曲线 theta．2theta of Fig．1(a)xRD patt目m ZnO(0001)peak of加thin矗ln堪，(h)IⅨk吨cum 我们m用扫描隧道显微镜(STM)观测ZnO薄膜表面的形貌及测量其压电参数．外加一交流电场E 于ZnO纳米薄膜，通过反馈电路使隧道电流恒定．悬臂针尖能够准确反映电表丽的运动，通过反馈信号的 大小，观察垂直于样品表面的振动幅度，从而获得各微区的压电常数d014]．图2是ZnO薄膜表面的形貌 圈2 ZnO薄膜形托在车两强度交流电蜀下振动彤貌以度薄膜在不同婚强方向时明闻变化 (a)薄膜的形貌；(b)2V；(c)6V；(d)lOv；(e)交巍电场的变化 Fig．2(a)SFMtop吨rsphici唧ofz帕thinfilmsandpiezD-responseimagesatdlf