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GeF4流量对PECVD法制备微晶硅锗材料特性的影响.pdf
基础研究、新材料及新概念太阳电池 ·663·
材料特性的影响术
●
胡增鑫1 张建军1谷士斌1’2孙健1．赵颖1耿新华1
1南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室
光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071
2河北工业大学信息工程学院天津300132
【摘要】
晶性，CPM法测试材料的光学吸收特性，并且结合光，暗电导等测试结果综合分
析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系。
【关键词】 微晶硅锗太阳电池VHF-PECVD ．’：
of flow on of
Influence rate
GeF4 propertiesmicrocrystalline
thinfilms VHF-PECVD
silicon-germaniumpreparedby
Hu shibinl·2SunJianlZhao xinhual
ZengxinlZhangJianjun’Gu Yin91Geng
1InstituteofPhoto-lectronicsThinFilmDevicesand ofNankai of
TechniqueUniversity，KeyLaboratory
ThinFilmDevicesand of of InformationScienceand
TechniqueTianjin，KeyLaboratoryOpt02electronic Technology’
ofEducation300071China
Ministry Tianjin
，
China
2InstituteofInformation，Hebei 300132
UniversityofTechnologyTianjin
0引言
微晶硅锗(眇一SiGe)作为一种新型窄带隙硅基薄膜太阳电池材料，具有吸收光谱范围宽、
吸收系数高、光致衰退不明显等优点，因此近几年成为人们研究的新方向。lxc．SiGe材料目
前主要的制备方法仍然是依托于较为成熟的微晶硅(雌一si：H)的制备技术，通过在反应气
反应条件以制备出能够适用于太阳电池器件级应用的11c-SiGe材料，仍然有待详细研究。本
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(张建军)。
·664． 中国太阳能光伏进展
对于制备的lie—SiGe材料特性的影响。
1实验
用来测量材料的光吸收特性和计算带隙。
2结果与讨论
气体)。图中曲线左侧的数值为每条曲线对应样品的晶化率，右侧的数值为晶化峰所对应的蜂J
H材料，虽然
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