Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Ge浓缩技术制备SGOI过程中 应力释放机理 刘卫丽1， 狄增峰1，张苗1，骆苏华1，宋志棠1， 朱剑豪2，林成鲁1 1中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050 2香港城市大学物理与材料学系等离子实验室， 香港 成功制备出驰豫的SiGe—on—Insulator(SGOI)材料。Raman结果表明，l150。C高温氧 化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放。原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明 在应力释放过程中未引入位错和缺陷。我们通过“容忍型”衬底的理论来解释氧化过程 所涉及的应力释放。在氧化过程中，由于埋层SiOz在高温条件下具有流动性，所以SiGe 层可以在其上滑移，从而释放应力。 关键词：SiGe；应力；氧化；扩散； 一、引言 具有高电子迁移率的压应变的SiGe沟道和具有高空穴迁移率的应变Si沟道可以对 称出现形成多沟道结构。2，因此他们作为下一代互补场效应晶体管衬底材料，越来越倍 受关注。 同样，将SOI结构整合进场效应晶体管可以使具有降低短沟道电流；消除闩 锁效应；降低源漏极电容等优势30SiGe材料由于具有较大的晶格常数(相对Si)，而 且与传统半导体工艺相容，所以被认为是最适合应变Si材料生长的衬底材料。因此，驰 MODFET和MOSFET器件方面引起了广泛的关注4一。目前，全球很多研究小组已经开展了 6等人利用超薄SOI作为“容忍型”衬底来部分释放SiGe层 SGOI的研究。F．H．Huang 等人使用智能剥离(Smart—cut)制备驰豫的SGOI材料。然而，这些方法都难免涉及 的Ge浓度太低，或者使用厚的Ge浓度递变缓冲层，难以满足当今微电子工艺中尺寸缩 小的要求。 质量SGOI材料的新颖技术。该技术可以同时控制SiGe层的厚度和Ge的浓度。氧化过程 中，由于SiO。的吉布斯生成自由能比GeOz低11，导致在SiGe氧化过程中Si更易被氧化， 从而Ge元素会从SiGe的氧化物中排挤出来，向原先SOl的顶层Si中扩散，从而消除了 原来的SiGe／Si界面，形成连续的SiGe层。同时，由于Ge不易在SiO。中扩散，所以Ge 的扩散途径在埋层SiOz(BOX)处被截断，从而所有Ge元素均汇聚起来形成SGOI中的 SiGe层中。 致力于高应变的Si生长，SGOI衬底中SiGe材料的应力释放是至关重要的。本文研 究了Ge浓缩技术制备SGOI过程中应变释放情况。通过改变氧化时间，我们研究具备不 同Ge浓度的SGOI材料的位错情况和应力释放机理。结果表明，本实验过程中的温度 -381- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 (1150。C)能够使埋层SiOz发生塑性变形，从而让SiGe 层通过在其表面滑移来释放应力，同时避免了其通过 产生位错来释放应力，提高了SOOI材料的晶体质量。 二、实验 实验中首先采用超高真空化学气相沉积(UHvCVD)方 法在超薄SOI(顶层Si30nm)衬底上550。C下，以 图1Ge浓缩技术制备SGOI材料 Si SiH4和GeH4作为Si和Ge源，生长lOOnm018Ge082 的流程示意图 层，然后继续生长20nm的纯Si盖帽层，即得到20nm Si／lOOnmSiGe／30nmSi结构。该结构在氧气氛中，1150。C，氧化1个和2个小时。在 氧化过程中，由于si更易于氧气结合生成SiOz，所以Ge原子将不会被氧化，而是被生 成的Si02挤压出来向SOI的顶层Si中扩散，在SOI 的埋层Si02(BOX)上方形成连续的SiGe层。Ge原子在顶部SiO。和埋层SiO。之间聚集， 随着氧化过程的进行，氧化层厚度减小，同是SiGe层中Ge的浓度大大提高。氧化结束 后，区别于传统Ge浓缩工艺，该样品在N。气氛中，900℃，高温退火3小时，使Ge元素 在整个SiGe层中分布均匀。整个过程