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介质层充电对电容式RF+MEMS开关的影响.pdf
第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 JOURNAL 0ct．2006
Dielectric Effectson RFMEMSSwitches
Charging Capacitive
WU
Y／n一九扎g，WAN
Jiang—wen’，ⅢNing
andMEMS Postsand 100876，China)
(MeasuringCommunicationCenter，BeijingUniversityof Telecommunications，Beijing
accumulationindielectricisconsideredasthemainreason onfailureofca—
Abstract：Charge layer bringing
in
RFMEMSswitches．Basedonthe ofthevariationofelectric-field thefull
pacitive analysis intensity
RF
of MEMSswitche．theresourceofaccumulatedisdiscussedandthe
workingprocesscapacitive charge
tothe conclusionsare
methodiS numericalcalculatedformulas，some
calculating deduced．According pres—
entedtodecreasethe inthe more ac—
fabrication
polarizationphenomena process．Acomprehensivecharge
cumulationmodeliSbuilt。whichcan thelifetimeof I心MEMSswitches．
predict capacitive
RFMEMS
Keywords：capacitive accumulation；1ifetime
switches；reliability；charge
E】艮KC：2575；2180D
介质层充电对电容式RFMEMS开关的影响
吴银锋，万江文。，于 宁
(北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心，北京100876)
摘 要：电容式RFMEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因．基于电容式RFMEMS开关工作过程
中电场强度的变化，分析讨论了累积电荷的来源，并推
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