半导体器件基础3分解.ppt

半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 JFET和 MESFET简介 MOS结构基础 MOSFET器件基础 基本概念 Junction Field Emission Transistor(JFET) 20世纪20~30年代发明 Non-linear voltage-controlled resistor Use of “drain” and “source” for output loop “gate” and “source” for input loop Use reverse-biased P-N juntion to control cross-section of device Total resistance depends on voltage applied to the gate JFET的结构 JFET的工作原理 栅电压控制耗尽区宽度 特性 MESFET 肖特基接触形成栅 JFET、MESFET和BJT的区别 MESFET与JFET原理相同，不同点是MESFET中的栅结为肖特基结。 FET的电流传输主要由多数载流子承担，不出现少数载流子存储效应。有利于达到较高的截止额率和较快的开关速度。 FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。FET输入阻抗高。 高电平下JFET的漏极电流具有负的温度系数，因而不致出现由于热电正反馈而产生的二次击穿，有利于高功率工作。 FET由于是多子器件，抗辐照能力比较强。 JFET与BJT及MOSFET工艺兼容．有利于集成。 JFET、MESFET可以采用非硅材料制造。 MOS结构基础 MOSFET与BJT的比较 输入阻抗高 噪声系数小 功耗小 温度稳定性好 抗辐射能力强 工艺要求高 速度低 MOSFET结构 基本工作原理 分类 分类-1 增强和耗尽 硅表面 理想硅表面 键的排列从体内到表面不变,硅体特性不受影响 真实表面 表面沾污(C,O etc.) 表面重构 硅表面-2 表面钝化 硅表面-3 二氧化硅的宽禁带阻止了半导体中载流子的逃逸 能带图 能带图-1 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 MOS结构的基本公式 MOS结构的基本公式-1 总电势差: 耗尽 耗尽-1 反型 反型-1 耗尽层电荷: 积累 平带 Flat Band Voltage 外加偏置 基本定量公式 栅电压 VG 栅电压 VG MOS电容 MOS电容 电容的定义: MOS电容-1 MOS电容-2 积累态: 耗尽态: MOS电容-3 反型 实验结果 深耗尽 从耗尽扫描到反型时, 需要少子 小结 MOS基本结构 硅表面状态: 耗尽 反型 积累 平带 栅电压关系 MOS电容 半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 工作原理 工作原理-1 I-V特性的定量分析 预备知识 阈值电压 衬底表面开始强反型时的栅源电压VT 理想情况下（p型衬底） 阈电压-1 阈电压-2 VBS=0时的阈电压 VT(0) 阈电压-3 实际的MOS器件中, QOX不为0, 金属/半导体功函数差?MS也不等于0, 当VG=0时半导体表面已经发生弯曲, 为使能带平直，需加一定的外加栅压去补偿上述两种因素的影响，这个外加栅压值称为平带电压，记为VFB。 阈电压-4 阈电压-5 VBS不为0时的阈电压 阈电压-6 阈电压-7 衬偏调制系数的定义: 阈电压-8 离子注入掺杂调整阈电压 一般用理想的阶梯分布代替实际的分布 按注入深度不同, 有以下几种情况: 浅注入 深注入 中等深度注入 阈电压-9 浅注入 注入深度远小于表面最大耗尽层厚度，半导体表面达到强反型时，薄层中电离的受主中心的作用与界面另一侧SiO2中Q ox的作用相似。 深注入 阶梯深度大于强反型状态下的表面最大耗尽区厚度 阈电压-10 中等深度注入 有效迁移率 载流子迁移率受材料内部晶格散射和离化杂质散射决定 表面碰撞减低迁移率 有效迁移率-1 与栅电压有关 平方律理论 非饱和区电流电压方程 萨方程(SPICE一级模型) 基本假定: ①衬底均匀掺杂。 ②长沟道器件，沟道两端的边缘效应以及其他短沟道效应不起作用；沟道宽度远大于沟道长度，与沟道电流垂直方向上的两侧边缘效应也不予考虑。 ③反型层内载流子迁移率等于常数。 ④二氧化硅层电荷面密度QOX等于常数。 ⑤忽略漏区、