半导体三极管及其放大电路分解.ppt

半导体三极管外型 平时，AN受到家用电器的压迫，使其两常闭触点断开，SCR无触发信号而阻断，报警器不工作。当家用电器被搬起时，AN两触点自动闭合，SCR的触发端经R1从电源正极获得触发信号，SCR导通，IC1通电工作，其输出端输出的警笛声电信号经VT1、VT5功率放大，推动扬声器发出宏亮的报警声。此时，即使将家电放回原处或破坏掉AN，也无法阻止报警声。只有主人打开与报警器安装在一起且其他人一时很难找到的开关S，才能解除报警。 三极管应用 放大的概念：变化量，能量控制作用。 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。 练习：判断三极管的工作状态 场效应管分类 MOS管避免栅极悬空 注意 ：对于MOS管，栅-衬之间的电容容量很小，RGS很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，无论是工作中还是存放的MOS管，都应为栅-源之间提供直流通路，避免栅极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。 场效应管特点 练习：判断三极管的工作状态 The end ! 饱和失真的本质： 负载开路时： 接负载时： 受 RC 的限制，iB 增大，iC 不可能超过 VCC/RC 。 受 R?L 的限制，iB 增大，iC 不可能超过 V ?CC/R?L 。 C1 + ? RC RB +VCC C5 RL + uo ? + + iB iC V ui (R?L= RC // RL) 第 5 章　半导体三极管 选择工作点的原则： 　　当 ui 较小时，为减少功耗和噪声，“Q” 可设得低一些； 为提高电压放大倍数，“Q”可以设得高一些； 　　为获得最大输出，“Q” 可设在交流负载线中点。 第 5 章　半导体三极管 二、小信号等效分析法(微变等效) 1. 晶体三极管电路小信号等效电路分析法 三极管电路 可当成双口 网络来分析 (1) 晶体三极管 H (Hybrid)参数小信号模型 从输入端口看进去，相当于电阻 rbe rbe — Hie 从输出端口看进去为一个受 ib 控制的电流源 ic = ? ib ， ? — Hfe + uce – + ube – ib ic C B E rbe E ib ic ? ic + ube ? + uce ? B C rbb? — 三极管基区体电阻 第 5 章　半导体三极管 (5) 晶体三极管交流分析 步骤： ① 分析直流电路，求出“Q”，计算 rbe。 ② 画电路的交流通路 。 ③ 在交流通路上把三极管画成 H 参数模型。 ④ 分析计算叠加在“Q”点上的各极交流量。 微变等效电路的画法 第 5 章　半导体三极管 例 5.3.4 ? = 100，uS = 10sin ?t (mV)，求叠加在“Q” 点上的各交流量。 + uo ? + – iB iC RB VCC VBB RC RL C1 C5 uS + – + – RS + uCE ? + uBE – 15 V 15 V 510 470 k? 5.7 k? 3.6 k? [解] 令 ui = 0，求静态电流 IBQ ① 求“Q”，计算 rbe ICQ = ? IBQ = 5.4 mA UCEQ = 15 ? 5.4 ? 5.7 = 5.5 (V) 第 5 章　半导体三极管 ② 交流通路 + uo ? + – iB iC RB VCC VBB RC RL C1 C5 uS + – + – RS + uCE ? + uBE – ube uce ③ 小信号等效 + uo ? + – RB RL RS rbe E ib ic ? ic B C us RC + ube ? ④ 分析各极交流量 ⑤ 分析各极总电量 uBE = (0.7 + 0.0075sin?t )V iB = (54 + 5.5sin?t) ?A iC = ( 5.4 + 0.55sin?t ) mA uCE = ( 5.5 – 0.85sin?t ) V 第 5 章　半导体三极管 用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态，设β=100，求IE和VCE。 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 5.5.1 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO5 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 So