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半导体激光器温度控制器的研究 赵毅强 孙权 姚素英 (天津大学电子信息工程学院 天津300072) 摘要：本文介绍了一种用于半导体激光器的温度调节控制器，由于采用双温度测试、内嵌8 位微控制器(MCU)，256级电流输出等，实现了智能化，小型化，具有温度稳定性高、低成本等 特点．文中基于系统结构框图对各部分组成、工作原理和软件实现进行了分析和计算．测试结果表 明温度稳定度迭0．Ioc． 关键词： 半导体激光器；温度；控制 、 1．引言 由于具有转换效率高、覆盖波段范围广、准直方向性好、寿命长、抗干扰性好、精确度高、体 积小、可直接调制、体积小、价格便宜、易集成等特点．各种类型的半导体激光器得到了广泛应用。 由于工作时需要较大的电流，随着时间的增长，半导体激光器管芯将产生大量的热量．导致节 温不断升高，而温度直接影响其发光效率，使得输出功率不稳定。所以在实际应用中，为保证稳定 的发光性能，必须采取措施对芯片工作环境的温度进行控制。 对于各种类型的半导体激光器，再使用前必须进行各个参数的老化筛选。长时间输出功率稳定 性的关键是保证工作温度的稳定。因此研制高精度温度控制器有着广泛的需求。 在大量实验的基础上，我们设计了一种高性能温度控制器．内含8位MCU、12位A／D和8位 的筛选测试中。 ， 2．工作原理及系统组成 2．1-r_作原理 在实际系统应用中，激光的输出功率稳定是提高系统精度的关键。输出功率受驱动电流^管 L 芯工作点温度兀发光面积S与光纤耦合效率r／的影响，即P=F(LS目)．其中发光面积 S和光纤耦合效率口由器件结构决定．驱动电流一由恒流源保障，因此如何保证管芯温度恒定成为 制约出纤功率稳定性的重要因素。 小型化半导体激光器一般采用组件方式，由芯片、半导体制冷器及热沉、热敏电阻等组成。通 过给半导体制冷器通以不同方向的电流可达到制冷或加热的目的。 图1是1310nmSLD的光功率与工作温度关系曲线，可见光功率随着温度的升高而减小，且呈现 非线性．当工作温度在20。C附近时，温度变化10c，功率变化5％。而一般系统要求激光功率稳定 性为l·b吨％．因此在SLD工作时温度的变化应小于：tO．20C． 418 宝 o ‘ 国 H℃) 图1光功率与工作温度的关系曲线 图2激光器温度控制原理 一般控温过程是根据芯片的工作温度确定加热或制冷的功率．当两者达到动态平衡时，即可保 证温度稳定在一定的范围。在实际使用中由于半导体制冷器在加热或制冷时有一定的延时和保持时 间，如果单纯对制冷器进行开关控制难以实现较高的温度稳定性，甚至出现流过半导体制冷器的电 流频繁倒向，导致温度的大范围起伏． 图2是温度控制器的原理方框图，主要有温度测量、数模转换、单片机(MCU)、电流输出控 制、人机接口(显示、键盘等)等组成。两路温度信号经A／D转换后由单片机89C52采集，经运算 处理后产生电流方向和强度的控制信号，通过D／A转换形成模拟电压，实现对半导体致冷器的电流 控制，从而实现温度调节。 2．2系统组成 该模块具有两路温度输入。分别是环境温度n和芯片工作温度死；它们采用同种类型的热敏 电阻，模拟信号处理电路主要完成信号的放大和零位电压的减除，以匹配A／D转换的满量程电压。 7109组成。此A／D的特点精度高、速度快、接口简单等。 模数转换部分由多路开关和12位^／D 为节省资源采用一片AD，在2选一0．103开关控制下，完成对n和尼的分时采集． 单片机(Mc【I)采用内含8K程序存储器的89C52，它主要完成温度数据的采集、计算，经与设 定工作温度对比后实现加热(或制冷)功率的输出调节和电流方向的控制。 电流输出控制部分由D／^转换