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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 基于硅基共振隧穿二极管与CMOS的数字电路 马龙，王良臣，杨富华 (中国科学院半导体研究所半导体集成技术中心，北京100083) 摘要：硅基纳米电子器件RTD与CMOS电路相结合，这种新型电路不仅保持了在工艺上 的兼容性以及CMOS动态电路的所有优点，而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声 免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。本文对数字电路中比较典型的可编程逻辑门 和流水线加法器进行设计与模拟。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下 实现相应电路的可行性。 关键词：共振隧穿二极管(RTD)，互补金属氧化物半导体(CMOS)，可编程逻辑门，流水线 全加器 1．引言 互补金属氧化物半导体(CMoS)在半导体产业中一直占据着统治地位，遵循摩尔定律， 通过特征尺寸的缩小达到更高的集成度，更快的速度以及更低的功耗。根据美国半导体工 业协会(SIA)的预计，这种趋势还会继续10一15年。而后随着特征尺寸向纳米尺度靠近， 量子效应逐渐显现并占据主导地位，采用纳米电子器件与CMOS相结合的电路将成为其发 展的方向。共振隧穿二极管(RTD)作为率先实用化和当前发展最为成熟的纳米电子器件， 凭借其所特有的负微分电阻(NDR)特性，已经成为未来纳米级超大规模集成电路(ULSI)有 力候选者，在数字以及混合电路中有着重要的应用。已有包括模数转换器(ADC)，数模转 换器(DAC)，存储器(TSRAM)等方面的报道，电路具有超高速，低功耗，自锁存的特点。 实现纳米电子器件RTD与当前工业主流CMOS工艺的集成一直是人们追求的目标。早 二者结合起来的方法。但这种方法不适应大规模电路的集成，额外的键合工艺增加了成本， 引入的寄生参量同时降低了电路的性能。随着材料生长技术的发展，特别是1998年Rommel 等控。采用低温分子束外延(LT-MBE)的方法制作出第一个在室温下工作的硅基RTD以来， 大量研究工作的展开使器件性能得到了极大的改善。Si／SiGe带间隧穿二极管(RITD)，已 值电流密度还可根据隔离层厚度的不同进行选择。最近已实现Si／SiGeRITD与CMOS的集 成临。，如图l所示。电路采用两个RTD管串联形成一个锁存器，通过一个NMOS管注入电流， 实现整个单元单一双稳态逻辑转换的功能。该逻辑门在0．5V偏压下的电压摆幅为84％，整 个逻辑单元可保证实现高密度嵌入式存储器电路在较低电压下运行。 妻 ， h_阳哪 图1(a)Si／SiGeRITD与CMOS单片集成的剖面结构图及(b)电路测量结果 428． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 除此之外采用SiOz／si／sio。的结构RTD无疑是人们所期待的，由于与CMOS工艺完全 兼容，可以很容易地与CMOS电路集成在一起。而且由于它的对称结构，增加了电路设计 的自由度。但是，要求在两层SiOz势垒中生长出一层厚度可精确控制的单晶硅层加大了工 艺技术上的难度，造成目前已实现的器件性能还不是很高。 采用RTD与CMOS相电路结合，这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点， 而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性旧。方面都得到了不同程度的增强和改 善。下面就数字电路中几个最基本的逻辑电路(以逻辑门为例)和动态电路(以全加器为 例)进行设计与分析。 2．逻辑电路 在数字逻辑电路中，各种门电路构成了最基本的结构。通过对RTD台面面积，MOS管 宽度等参数的选择，可实现需要的逻辑门功能。与CMOS电路相比，完成相同的逻辑功能， RTD／CMOs电路使用较少(或相等)的管子数，而延迟则大大降低。另外，采用线性阈值门 (LTG)的电路，可实现多输入的布尔逻辑运算，有利于减少电路的逻辑深度。 在此基础上设计的两输入的可编程与非／或非门(NAND／NoR)电路如图2所示。Va， Vb