半导体三极管 40241.pptVIP

. 第二章 半导体三极管及其电路分析 § 2.1 双极型半导体三极管 一、结构与符号 注意： ①发射区与集电区是同一半导体，但不能互换。原因是发射区掺杂浓度较高，主要任务是发射载流子；而集电区浓度较低，主要任务是接受载流子。（但它比基区浓度高。） ②集电区的尺寸比发射区大，集电结比发射结厚。 ③基区掺杂浓度低而且很薄，使发射区发射的载流子很容易穿过基区到达集电区（发射区比基区浓度高几百几千倍） 三、晶体三极管特性曲线 1、输入特性：IB=f (uBE)|uCE=常数 2、输出特性曲线：Ic=f( uCE)|iB=常数 结论： ①恒流特性： 因为曲线近似平行与横轴的直线，尽管uCE变大，但输出电流不变，当iB一定时，输出电流IC也一定，并且，满足IC= βIB这称为恒流特性，C、E之间的等效电阻接近于无穷大。 ②电流放大作用： 当IB等量增加时，曲线等间隔的上移，这就是交流电流的放大作用。 四、三极管的主要参数 1、电流放大倍数 ： ⑴ 共基极电流放大倍数 α= ; α 1 ⑵ 共发射极电流放大倍数 β= ；β1 3、极限参数： 1）集电极最大允许功耗：PCM PCM=IC·UCE 与散热条件有关。硅管的最高结温度小于150°C，一般工作在低于80度以内。 2）集电极最大允许电流：ICM 三极管工作时的不允许超过的最大集电极电流，如果超过，不但会使其性能变坏。而且有损坏管子。 3）、反向击穿电压： UCBO（BR），发射极开路时的集电极基极反向击穿电压；一般比较高。从几十伏到几千伏不等。 UCEO（BR），基极开路时的集电极发射极反向击穿电压.比UCBO（BR）低 UEBO（BR），集电极开路时的发射极基极反向击穿电压。该电压一般比较低。约5—10V左右。 实际工作时，往往不会开路。所以反向击穿电压还会高一点。 五、三极管的安全工作范围和温度稳定性 1）、安全工作范围： 1.5 场效应晶体管(FET） 分类和结构： 结型场效应晶体管JFET 绝缘栅型场效应晶体管IGFET 1.5.1结型场效应晶体管JFET 1) P 沟道和N沟道结构及电路符号 2)工作等效（以P沟道为例） 3）截止工作 3)、JFET的主要参数 1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDSS; VGS=0，时的ID 3)、 电压控制电流系数gm= 也称跨导（互导） 4）交流输出电阻 rds= 5)极限参数：V（BR）DS、漏极的附近发生雪崩击穿。 V（BR）GS、栅源间的最高反向击穿。 PDM 最大漏极允许功耗 ，与三极管类似。 4）特性曲线： 与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例： 1.5.2、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS） 2）、P沟道MOS（Metal Oxidized Semiconductor) (1)工作状态示意图 (2) IGFET 工作原理(NMOS) 耗尽型场效应管的工作原理类似结型场效应管。 增强型IGFET象双结型三极管一样有一个开启电压VT ，（相当于三极管死区电压）。 当UGS低于VT时，漏源之间夹断。ID=0 当UGS高于VT时，漏源之间加电压后。 ID=ID0（ -1）2 ；IDO为2VT时的ID 当UDS小于等于UGS-VT时，进入可变电阻区 (3) IGFET（E）特性曲线 (4)主要参数： 1）开启电压VT:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDO; VGS=2VT时的ID 3)、 电压控制电流系数gm= 也称跨导（互导） 4）交流输出电阻 rds= 5)极限参数：V（BR）DS 漏极的附近发生雪崩击穿。 V（BR）GS 栅源间的最高反向击穿