真空中冲击电压下半导体沿面闪络特性.pdfVIP

中困电机工程学会高压专业委员会高电压新技术学组2006年学术年会 真空中冲击电压下半导体沿面闪络特性 郑楠，张冠军，赵文彬，马奎 (西安交通大学电气工程学院，西安710049) CharacteristicsofSemiconductorUnderPulsed inVacuum Voltage Kui ZhengNan，ZhaoWenbin，ZhangGuanjun，Ma (SchoolofElectrical 710049) Engineering，Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an Abstract：Theexcellent ofsemiconductor performance materialhasbeen muchattentionsinceitcomesout。 paid Semiconductordevices tothedirectionof graduallydevelop 度并提高PCSS的效率，应尽量减小光导半导体的 and ResearchOn highervoltage power． hi【gh-field 几何长度。从理论上讲，半导体开关可以一直工作 materialto its characteristicsofsemiconductor helpsenlarge 到其半导体材料的本征击穿场强，如硅约为 field．Basedontheconcurrentmeasurementof application 300kV／cm，而实际上这在很大程度上受硅的沿面闪 andelectrical surfacefiashover optical signals，the phenomena 71。 across siliconare under investigated semiconducting impulse invacuum．Thecharacteristicsofflashoverare 由于半导体的沿面闪络主要是脉冲功率领域 voltage general found．Itisconfirmedthatthereis a 中存在的问题，对其进行的研究主要是在冲击电压 gasdesorptionduring flashover electrodecontactmannerhas event．ItiSrevealedthat 下。目前国内对这一研究的报道尚不多见。Peterkin obviousinfluenceonflashover andalsothesurface phenomena 等人认为真空中的半导体沿面闪络与绝缘材料有 condition affectstheflashovercharacteristicsof significantly 着很大的不同：对于绝缘材料，沿面闪络沿其表面 SjIicon．