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人们已经采用LSDA+U计算法研究了不同氧气浓度空缺时二氧化铈的电学性能和磁学性能，发现其显著依赖于氧气浓度的空缺。随着缺氧度的提高，因缺氧不仅在四价铈轨道上而且还在空位上有电子移动。这导致了其在重掺杂的条件下同时拥有超交换和偏振的磁性机制，可以有效提高铁磁体的稳定性。结果表明不同程度的缺氧的二氧化铈的磁学性能和与之相关的磁场机制。 全球环境与能源问题已经导致了人们对二氧化铈和相关化合物有极大兴趣。它们可用于环境友好的发电中，如固体氧化物燃料电池和催化剂的应用。1,4二氧化铈是一个存储和释放氧气空缺的高容量的储存器。这么高的氧气空缺存储容量在各种应用中是至关重要的。为此，氧气的空缺在改变材料性能进而改变基本氧化物的装置特点和可靠性上经常起着非常重要的作用。例如，高性能的二氧化铈作为催化中贵金属的一种氧气缓冲区和活跃的反应依赖于在反应点上La氧化物的有效供应，这由氧气空位的形成控制。再者，二氧化铈广泛用于氧空位作用的离子导电氧化物。 众所周知，理想配比的二氧化铈是顺磁性的。随着从二氧化铈释放一个氧原子，两个电子被电离，这被认为是在两价铈原子f-level空穴上的高度集中。这致使两个相邻的铈原子的正常价态从﹢4变为﹢3.这将导致f状态的铈净旋转，从而诱导磁性。然而人们很少研究缺氧二氧化铈的磁铁性表明。此外，此前研究仅局限于微量减少的二氧化铈，而二氧化铈是一种有效的氧气空穴的存储库。事实上，因氧化物经常暴露在各种条件如高度减压或高温条件下二氧化铈的氧高度空缺在广泛应用领域里是一种很有前景的。在本文研究中，我们研究了不同程度氧空缺的局部行为和相关的磁场性质和他们的起源。这项研究揭示了电子不仅局限四价铈的f状态而且还去决议氧空缺状态等。当氧气空缺变大时，在铈四f状态电子倾向变弱。在剩余氧空位上的这些电子因降低离子极化，结果在二氧化铈 高缺氧时，可以明显提高其铁磁性。 被应用到Vienna ab原始仿真软件包的第一原则方法被用来研究二氧化铈-x的电学和磁学性能氧气空缺的浓度的影响x=3.13%,6,25%,12.5%和25%相应的氧空缺浓度为222,122,112和111气旋。在所有的结果中，冷冻中心泛函的投影机增光波普法PAM被用于离子电子的相互交换。相互交换理论被用来描述PAN自旋密度泛函近似LSDA。由于较强的局部铈4f的库伦间的相互作用，标准密度功能理论DFT计算不足以预测全电子结构。最近研究表明校正DFT+U的密度泛函理论计算对于二氧化铈-x和相关化合物是有效的。在这项研究中应用到球形Dudarev的LDA+U方法。铈4f轨道的U=8eV和J=1 eV的最优组合提高了电子结构的预测BZ一体化表现在良好会聚的Monkhorst-Pack k-point grid。平面网动能的截止被设为400ev。原子位置和晶格参数优化直到原子能量小于0.02 eV/?。 首先，1.969氧化铈超细胞被用于低掺杂浓度x=0.0313的模型，一个氧原子从纯二氧化铈的96原子2*2*2的晶胞中脱离。图一（a）表明氧化铈的状态总密度。正下方费米能级的峰代表原始的f状态，是距氧空位最近的两个铈离子。氧2p价带边缘和已占据的f状态的差为1.4eV，这与实验所测值1.2-1.5eV一致。图1（b）-(d)表明二氧化铈（x=0.0625，0.125和0.25）的状态总密度。图中差值的存在揭示了电子的定位。这些定位状态始于氧还原的电子还因还原的铈离子的4f状态。用Bader 分析的整体分析表明，两个还原铈离子在x=0.0313，0.0625，和0.25的条件下对应有0.98，0.97，0.93和0.91电子。因此，两个多余的电子主要转移到相邻的四价铈离子上而还原为三价铈离子（每个与4f相对应）。这些结果表明价带光电子能谱，一种状态发生在价带最大值和部分还原的氧化铈体系的未被占据的铈4f带最小值的能差。进一步分析表明这些差距主要是因为fxy轨道这意味着从氧空位的电子掺杂大多占据在fxy轨道，如图1右面所示。 有趣的是，下文是关于定位行为。首先，随着氧空位浓度的逐渐增加，差值从充分状态变为空状态。这是由于高的电子密度因原始的氧严重不足使相关的强电子分裂为杂质带。第二，在高减压条件下的电子定位和低缺氧条件下的不一样，虽然在四种条件下两个电子大部分转移到两个四价铈离子上。如上所示，位于铈4f状态的电子数量随着空位浓度的增加而减少。换句话说，在氧空位之后的电子密度伴随着氧空位浓度的而改变。综合分析表明，在x=0.125和0.25时分别有0.13和0.16电子保留在空位中。因此，在高缺氧条件下的缺氧电子对这些差距有重大贡献。为进一步解释这种定位行为，在x=0.25时展开了这一差值的电荷密度状态分析，如图2所示。显然，尽管大多数电子占据了铈空位，在氧空位上有强电子。 我们测量了