GB/T 12963-2009硅多晶.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８２ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜１２９６３ ２００９ 代替 ／ — ＧＢＴ１２９６３ １９９６ 硅 多 晶 　　 　　 犛犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉 狅犾犮狉狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀 狆 狆 狔 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜１２９６３ ２００９ 前 言 　　 本标准修改采用 ： 《多晶硅规范》，主要差异如下： ＳＥＭＩＭ１６ 　　 ———增加了技术参数，如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和 型少子寿命的等级要求； ｎ ———增加了硅多晶尺寸范围要求。 本标准代替 ／ — 《硅多晶》。 ＧＢＴ１２９６３ １９９６ 本标准与 ／ — 相比，主要有如下变动： ＧＢＴ１２９６３ １９９６ ———基磷电阻率等级由 · 、 · 、 · 修订为 · 、 · 、 · ； ３００ ｃｍ２００ ｃｍ１００ ｃｍ ５００ ｃｍ３００ ｃｍ２００ ｃｍ Ω Ω Ω Ω Ω Ω ———增加氧化夹层术语。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨眉半导体材料厂。 本标准主要起草人：罗莉萍、张辉坚、王炎。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——— ／ — 、 ／ — 。 ＧＢＴ１２９６３ １９９１ＧＢＴ１２９６３ １９９６ Ⅰ ／ — 犌犅犜１２９６３ ２００９