答辩-大学普物实验-霍尔效应与应用设计-梅希彤ppt讲述.ppt

霍尔效应与应用设计 【汇报人】 梅希彤 【所属班级】严济慈物理学英才班 【汇报时间】2016年4月11日 1 2 3 载流体置于垂向分量非零磁场中，运动带电粒子受洛仑兹力作用而偏转。囿于固体材料，导致在垂直电流及磁场方向电荷聚积，形成横向电场。当载流子所受横电场力与洛仑兹力相等，即达到平衡，有 。 称霍尔电场， 为载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则 。 4 由 与 有 （考虑载流子的速度统计分布，需引入3π/8的修正因子。） 比例系数 =1/ne称霍尔系数。可用于： 1.判断载流子种类； 2.由 求n； 3.电导率σ与载流子浓度n及迁移率μ有σ=neμ即 ，测出σ值即可求μ 。 （σ可由在零磁场下，测量B、C电极间的电位差 ，由下式求得 ： 。） 霍尔器件厚度一定，常用 来表示器件的灵敏度，称霍尔灵敏度，单位为mV/(mA·T) 。 B0 5 通常环境背景磁场主要为地磁场而不随时间变化，因而易于消去。 可以几次改变实验设置的朝向来对称地消除。 背景磁场数量级小（0.05mT左右），一般可以忽略。 如果周遭有强磁场乃至交变强磁场时，应该更换实验室。 此外，霍尔效应伴随多种与热相关的副效应，测得的霍尔电极A、A′之间的电压实为 与各副效应电压的叠加值： ·不等势电压降 ∝d ·Ettingshausen（爱廷豪森）-热电效应引起的附加电压 ∝Is·B ·Nernst(能斯特)—热磁效应直接引起的附加电压 ∝Q·B ·Righi-leduc(里纪—勒杜克)—热磁效应产生的温差引起的附加电压 ∝S·B V0 6 由于测量霍尔电压的A、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧，位置不在一理想的等势面上，即使不加磁场，只要有电流 通过，即有电压 ＝ ·r，其中r为A、A′所在的两等势面之间电阻。 在测量 时，叠加 ，使得 值偏大（当 与 同号）或偏小（当 与 异号）。 的符号取决于 和B两者的方向，而 只与 方向有关，而与磁感应强度B方向无关，因此 可以通过改变 的方向予以消除； VE 7 Is 载流子迁移速率存在统计分布，霍耳电压达稳定值 时，若速度为v的载流子所受洛仑兹力与霍尔电场力刚好抵消，则速度小于/大于v的载流子受到的洛仑磁力小于/大于霍尔电场的作用力，将向霍尔电场作用力/洛伦兹力方向偏转，而速度大的载流子会聚集在半导体材料的一侧,温度较高；而速度小的载流子聚集在另侧,温度较低。 由于测量电极和半导体两者材料不同,电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势 ,而产生电势差，此为Ettingshausen（爱庭豪森）效应。效应建立需要时间，采用直流电则由于该效应的存在而给霍尔电压的测量带来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得该效应未及“建立”，可减小测量误差。由于 的大小和正负号与 、B的大小和方向有关,跟 与 、B的关系相同,所以不能在测量中用改变 和B方向的方法消除，但其引入的误差小，可以忽略； 8 VN 接触电阻不完全相同。当工作电流 通过不同接触电阻时会产生不同的焦耳热,并因温差产生一个温差电动势,此电动势又产生温差电流Q(称为热电流),在磁场的作用下偏转,在Y方向产生附加电势差 VN ，这就是Nernst效应。 而 ， VN 的符号只与B的方向有关，与VN的方向无关，可通过改变B的方向予以消除； 9 VRL 因载流子的速度统计分布，由Nernst效应产生的X方向热扩散电热电流也有Ettingshausen效应，在Z的方向磁场B作用下，将在Y方向产生温度梯度 ′，此温差在Y方向产生附加温差电动势VRL。 VRL的符号只与B的方向有关，亦能消除。 10 实验中测得的A 、A′之间的电压除VH外还包含V0 、VN、VRL和VE各电压的代数和，其中V0、VN和VRL均通过改变Is和B方向的方法予以消除。具体方法是在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的IS和B的组合的A 、A′之间的电压。 当（+I