康华光《电子技术基础(模拟部分)》chapter4.pptVIP

康华光《电子技术基础(模拟部分)》chapter4.ppt

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1 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT双极结型三极管 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 2 4.1 BJT双极结型三极管 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 3 4.1.1 BJT的结构简介 BJT:双极结型三极管; 材料:硅、锗等 工作频率:低频管和高频管; 功率:小、中、大功率管 4 4.1.1 BJT的结构简介 发射区:其中一个N型区所掺杂的浓度高,发射极e; 集电区:另一个N型区所掺杂的浓度较低,集电极c; 基区: 夹在发射区与集电区中间的P型区基区很薄,掺杂浓度最低,基极b 。 5 1. BJT内部载流子的传播过程 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 #实现放大的外部条件:发射结正偏,集电结反偏 (1)发射区向基区扩散载流子 (2)载流子在基区扩散与复合 (3)集电区收集载流子 6 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 2. BJT的电流分配关系 根据传输过程可知 ,IC= ICN+ ICBO ,IB ≈ IE - IC 通常 IC ICBO IE≈IEN (共基极直流放大系数) 7 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 令: (共射极直流放大系数) (反向饱和电流/穿透电流) 8 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 (1) 三种接法(组态):共射、共基、共集; (2) 放大是对变化量而言,分析时是以静态为基础,但重点是变化量。变化量是叠在直流量上; (3) 放大是一种控制作用。 9 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 3. BJT在电压放大电路中的应用举例 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 ?iE = -1 mA, ?iC = ? ?iE = -0.98 mA, ?vO = -?iC? RL = 0.98 V, ? = 0.98 时, 10 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V, ? = 0.98 使 11 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄,集电极面积大,易于收集电子。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。 12 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 1.共射极连接的输入特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 13 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 2. 共射极连接的输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 14 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 2.共基极连接时的输入特性曲线 (1) 当vCB=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCB0V时, 随着vCB 的增加,输入特性曲线向左移,说明vBE不变 时,随着集电结反偏电压 vCB的增加,iE也有所增加。 15 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 2.共基极连接时的输出特性曲线 放大区: 发射结正偏, 集电结反偏; 饱和区: 截止区: 16 4.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 17 4.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 18 4.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 19 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (2) 集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+ )ICBO ICEO (1) 集电极-基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时,集电结的反向饱和电流。 20 4.1.4 BJ

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