康华光《电子技术基础（模拟部分）》chapter5-mini.pptVIP

5 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管* 5.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管的分类（基本结构） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 P型基底 两个N+区 SiO2绝缘层 金属铝 电路符号 箭头表示由P（衬底）指向N（沟道） 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS=0时 对应截止区 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 VT称为开启电压 vGS0时 感应出电子 这种vGS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的FET称为增强型FET。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS较小时，导电沟道相当于电阻将d-s连接起来， vGS越大此电阻越小。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 当vDS不太大时，导电沟道在两个N+区间是均匀的。 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vDS增加，vGD=VT 时，靠近d端的沟道被夹断，称为预夹断。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 截止区： vGSVT，导电沟道尚未形成， iD＝0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 可变电阻区： 本征导电因子： 反型层中电子迁移率： 栅极氧化层单位面积电容： 在特性曲线原点附近，vDS很小，进而忽略： 输出电阻（原点附近）： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 饱和区： 预夹断临界条件： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 ＃FET是电压控制器件 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1.结构和工程原理简述 掺杂后具有正离子的绝缘层 N型沟道 这种N沟道耗尽型MOSFET可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流，这是耗尽型MOSFET的一个重要特点。 电路符号 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2.V-I特性曲线及大信号特性方程 预夹断： 饱和漏极电流： 耗尽型管子中不用开启电压VT，而用夹断电压VP表征管子的特性。 5.1.3 P沟道MOSFET 增强型MOS管沟道产生的条件： P沟道MOSFET电路符号 可变电阻区和饱和区的界线： 可变电阻区： 饱和区： 沟道的电导参数： P型MOS管也分增强型和耗尽型。其余均与NMOS相同，VDS和VT为负值。实际电流方向为流出漏极。 5.1.4 沟道长度调制效应 实际MOS管在饱和区的输出特性曲线考虑vDS对沟道长度L的调制作用： vDS增加，iD也相应地增加。 沟道长度调制参数?对输出特性公式的修正： 典型器件： 以NMOS增强型为例： 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 开启电压VT 夹断电压VP 饱和漏极电流IDSS 直流输入电阻RGS 二、极限参数 最大漏极电流IDM 最大耗散功率PDM 最大漏源电压V（BR）DS 最大栅源电压V（BR）GS 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、交流参数 输出电阻： 低频互导：低频互导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 N沟道增强型MOSFET为例： 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1)简单的共源极放大电路 NMOS的共源极放大电路 直流通路 假设NMOS处于饱和区 NMOS处于饱和区，假设成立； NMOS处于可变电阻区； 验证假设是否成立： 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1)带源极电阻的NOMOS共源极放大电路 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 假设NMOS处于饱和区 验证假设是否成立 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 带源极电阻的NMOS 共源极放大电路 ＃本例中直流负载线和交流负载线相同 负载线： 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）直流： （2）漏极信号电流： （3） 线性放大器的小信号条件 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 NMOS