康华光《电子技术基础（模拟部分）》chapter5.pptVIP

5 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5 场效应管放大电路 场效应晶体管（FET）是一种电压控制的单极性半导体器件，它利用电场效应改变内部导电沟道，实现控制输出电流的目的。它具有体积小、重量轻、功耗小、寿命长、输入阻抗高、噪声低和制造工艺简单等优点，因而在电子电路中得到了广泛地应用，特别是在大规模集成电路和超大规模集成电路中得到广泛应用。FET是Field Effect Transistor 的缩写 JFET是Junction type Field Effect Transistor 的缩写 MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor 的缩写 场效应管的分类（基本结构） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）是利用半导体表面电场效应进行工作，故又称为表面场效应器件。 MOSFET的栅极处于绝缘状态，所以其输入电阻可高达1015?。 按照MOSFET导电沟道不同，可分为N沟道和P沟道两类，其中每一类又可分为增强型(E)型MOSFET和耗尽型(D型) MOSFET。当vGS=0时，没有导电沟道的称为E型。E型只有加上一定的vGS才形成导电沟道，因此称为增强型。当vGS=0时，存在着电沟道的称为D型。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 P型基底 两个N+区 SiO2绝缘层 金属铝 电路符号 箭头表示由P（衬底）指向N（沟道） 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS=0时 对应截止区 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 VT称为开启电压 vGS0时 感应出电子 这种vGS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的FET称为增强型FET。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS较小时，导电沟道相当于电阻将d-s连接起来， vGS越大此电阻越小。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 当vDS不太大时，导电沟道在两个N+区间是均匀的。 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vDS增加，vGD=VT 时，靠近d端的沟道被夹断，称为预夹断。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 截止区： vGSVT，导电沟道尚未形成， iD＝0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 可变电阻区： 本征导电因子： 反型层中电子迁移率： 栅极氧化层单位面积电容： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 可变电阻区： 在特性曲线原点附近，vDS很小，进而忽略： 输出电阻（原点附近）： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性 饱和区： 预夹断临界条件： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 3. V-I特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 ＃FET是电压控制器件 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1.结构和工程原理简述 掺杂后具有正离子的绝缘层 N型沟道 这种N沟道耗尽型MOSFET可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流，这是耗尽型MOSFET的一个重要特点。 电路符号 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1.结构和工程原理简述 (1) vGS0时， 沟道中感应出更多的负电荷，使沟道变宽，在vDS作用下，iD具有更大的数值。 (2) vGS0时，沟道中的感应的负电荷减少，沟道变窄，从而使得漏极电流减少。当为负电压到达某值，耗尽区扩展到这个沟道，沟道被完全夹断，这时即使存在vDS,也不会存在iD，这时的栅源电压被称为夹断电压（截止电压）VP 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2.V-I特性曲线及大信号特性方程 预夹断后： 饱和漏极电流： 5.1.3 P沟道MOSFET 增强型MOS管沟道产生的条件： P沟道MOSFET电路符号 可变电阻区和饱和区的界线： 可变电阻区：