数字电子电路教案第3章.pptVIP

概　述;2.1 概 述; TTL 即 Transistor-Transistor Logic ;二、高电平和低电平的含义 ;2.2　三极管的开关特性;三极管为什么能用作开关？怎样控制它的开和关？;IC(sat);IC(sat); iB 愈大于 IB(Sat) ， 则饱和愈深。 ;[例]下图电路中? = 50,UBE(on) = 0.7 V,UIH = 3.6 V,UIL = 0.3 V,为使三极管开关工作,试选择 RB 值,并对应输入波形画出输出波形。;(2) 对应输入波形画出输出波形;IC(sat);IC(sat);C ;2.3　TTL 集成逻辑门;A;　　VD1 ~ VD3 在正常信号输 入时不工作，因此下面的分 析中不予考虑。RB、RC 和 V6 所构成的有源泄放电路的 作用是提高开关速度，它们 不影响与非门的逻辑功能， 因此下面的工作原理分析中 也不予考虑。;综上所述,该电路实现了与非逻辑功能,即;电压传输特性测试电路;下面介绍与电压传输特性有关的主要参数：;　　噪声容限越大，抗干扰能力越强。 ;输入负载特性测试电路 ;[例] 下图中，已知 ROFF ? 800 ?，RON ? 3 k?，试对应 输入波形定性画出TTL与非门的输出波形。;3. 负载能力 ; 由于三极管存在开关时间，元、器件及连线存在一定的寄生电容，因此输入矩形脉冲时，输出脉冲将延迟一定时间。 ;5. 功耗-延迟积 ; 使用时需外接 上拉电阻 RL ; 相当于与门作用。 因为 Y1、Y2 中有低电 平时，Y 为低电平；只有 Y1、Y2 均为高电平时，Y 才为高电平，故 Y = Y1 · Y2。;(2)驱动显示器和继电器等 ;TTL; 即 Tri-State Logic 门，简称 TSL 门。其输出有高电平态、低电平态和高阻态三种状态。;综上所述，可见：;EN 即 Enable;2. 应用 ;DI; TTL 集成门的类型很多,那么如何识别它们?各类型之间有何异同?如何选用合适的门?;向高速 发展 ;集成门的选用要点;2. TTL 集成逻辑门的使用要点 ;3. 多余输入端的处理 ;或门和或非门的多余输入端接逻辑 0 或者与有用输入端并接;[例] 欲用下列电路实现非运算，试改错。 　　(ROFF ? 700 ?，RON ? 2.1 k?);解：; 是由增强型 PMOS 管和增强型 NMOS 管组成的互补对称 MOS 门电路。比之 TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。 ;A uI;A uI;二、其他功能的 CMOS 门电路 ;A;2. CMOS 或非门 ;Y;C、C 为互补控制信号 ;PMOS; 在反相器基础上串接了 PMOS 管 VP2 和 NMOS 管 VN2，它们的栅极分别受 EN 和 EN 控制。;三、CMOS 数字集成电路应用要点 ;民品 ;1. 注意不同系列 CMOS 电路允许的电源电压范围不同， 一般多用 + 5 V。电源电压越高，抗干扰能力也越强。 ;2.5 集成逻辑门电路的应用;一、CMOS 门电路比之 TTL 的主要特点 ;二、集成逻辑门电路的选用 ;解：;可用两级电路 2 个与非门实现之;可用两级电路 3 个与非门实现;可用两级电路 3 个或非门实现之。;可用两级电路 2 个或非门实现之;; 1;;在数字电路中，三极管作为开关使用。 　　硅 NPN 管的截止条件为 UBE ＜ 0.5 V ，可靠截止条件为 UBE ≤ 0 V，这时 iB ? 0，iC ? 0，集电极和发射极之间相当于开关断开；饱和条件为 iB ≥ IB(sat) ，这时，硅管的 UBE(sat) ? 0.7 V，UCE(sat) ? 0.3 V，集电极和发射极之间相当于开关闭合。 ;TTL 数字集成电路主要有 CT74 标准系列、 CT74L 低功耗系列、CT74H 高速系列、 CT74S 肖特基系列、CT74LS 低功耗肖特基 系列、CT74AS 先进肖特基系列和 CT74ALS 先进低功耗肖特基系列。其中，CT74L 系列 功耗最小，CT74AS 系列工作频率最高。;CMOS 数字集成电路主要有 CMOS4000 系列和HCMOS 系列。CMOS4000 系列工作速度低，负载能力差，但功耗极低、抗干扰能力强，电源电压范围宽，因此，在工作频率不高的情况下应用很多。CC74HC 和 CC74HCT 两个系列的工作频率和负载能力都已达到 TTL 集成电路 CT74LS的水平，但功耗、抗干扰能力和对电源电压变化的适应性等比 CT74LS 更优越。因此，CMOS 电路在数字集成电路中，特别是大规模集成电