基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片.pdfVIP

第 27卷 第 12期 传 感 技 术 学 报 V0l_27 No．12 2014年 12月 CHINESE JOURNALOFSENSORSANDACTUATORS Dec．2014 A ChipofHighOverloadPressureSensorBasedonSacrificialLayerTechnology CHUAIRongyan，WANGJian， ，DAIQuan，rANGLijian (1．SchoolofInformationScienceandEngineering，ShenyangUniversityofTechnology，Shenyang110870，China； 2．SchoolofInformationandEngineering，ShenyangUniversityofChemicalTechnology，Shenyang110142，China) Abstract：A chip ofhigh overloadpressure sensorbasedon sacrificiallayertechnology ispresented．The sensor takesadvantagesofpolysiliconmechanicalandpolysiliconnanofilm piezoresistivecharacteristicstoincreaseitsfull scaleoutputandoverloadcapacity．A simulationmodeloftheproposedsensorisdesignedbyfiniteelementanalysis． Withtheanalysesofstaticandnonlinearcontactforstressdistributiononthesensormembrane，adesignmethodis proposedtoimprovethepressuresensorfullscaleoutputandoverloadcapacity．Anda2．5MPafullscalepressure sensorsampleisdeveloped．Thesamplemeasurementresultsshow thatanoverpressureof7timeshigherthanfull scalepressure，afullscaleoutputvoltageof362mV underasupplyvoltageof5V areachieved． Keywords：pressuresensor；overloadprotection；sacrificiallayertechnology；polysiliconnanofilm EEACC：7230；7230M doi：10．3969／j．issn．1004-1699．2014．12．006 基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片术 揣荣岩 ，王 健 ，代 全 ，杨理践 (1．沈阳工业大学信息科学与工程学院，沈阳 110870；2．沈阳化工大学信息工程学院，沈阳 110142) 摘 要：提出了一种基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片。这种传感器充分利用了多晶硅机械特性和多晶硅纳米膜的 压阻特性优势，提高了传感器满量程输出和过载能力。利用有限元方法设计了仿真模型，通过对弹性膜片应力分布的静态分 析和非线性接触分析，给出了提高这种压力传感器满量程输出和过载能力的设计方法。并试制了量程为2．5MPa的传感器芯 片样品。测试结果表明样品的过载压力超过 7倍量程，5V供 电条件下，满量程输出达到 362mV。 关键词 ：压力传感器 ；过载保护 ；牺牲层技术 ；多晶硅纳米膜 中图分类号：TP212 文献标识码 ：A 文章编号：1004-1699(2014)12-1615-07 硅基压力传感器具有较好的频率响应、灵敏度 护时，体硅压力传感器一般采用膜片底面的凸台结 和过载能力 ¨J，这些传感器用于差压、绝对、气压或 构，当压力增大到一定的值后，膜片底部的凸台与腔 真空压力测量 ，应用于多种工业、测试和测量领域 ， 体下面载