柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响.pdf

第 58 卷 第 5 期 2009 年 5 月 物 　理 　学 　报 Vol. 58 ,No. 5 ,May ,2009 ( ) 10003290200958 05 346806 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin. Phys. Soc. 柱状与孔状图形衬底对 MOVPE 生长 Ga N 体材料 及 L ED 器件的影响 江 　洋 　罗 　毅 　汪 　莱 　李洪涛 　席光义 　赵 　维 　韩彦军 (清华大学电子工程系 , 集成光电子学国家重点实验室 , 北京　100084) ( ) 2008 年 10 月 17 日收到;2008 年 11 月 3 日收到修改稿 ( ) ( ) 　　在柱状图形蓝宝石衬底 PSSp 和孔状图形蓝宝石衬底 PSSh 上外延了 GaN 体材料和LED 结构并进行了详细 ( ) ( ) 对比和分析. X 射线衍射仪 XRD 和原子力显微镜 AFM 测试结果表明 ,PSSh 上体材料的晶体质量和表面形貌都 ( ) 优于 PSSp 上体材料的特性 ,通过断面扫面电子显微镜 SEM 照片看出 PSSh 上 GaN 的侧向生长是导致这种差异的 原因. 另外 ,基于 PSSp 和 PSSh 上外延的LED 材料制作而成的器件结果表明 ,其 20 mA 下光功率水平相比普通蓝 ( ) ( ) 宝石衬底 CSS 分别提高了 46 %和 33 %. 通过变温光荧光谱 PL 分析发现 ,样品的内量子效率十分接近. 因此 ,可以 推断 PSSh 上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高. 关键词 : 蓝宝石图形衬底 , 氮化镓 , 发光二极管 , 侧向生长 PACC : 7360P , 7865K, 7280E 面进行LED 材料外延. 图形化的界面改变了 GaN 材 1 引 言 料的生长过程 ,能抑制缺陷向外延表面的延伸 ,提高 器件内量子效率 ; 同时 ,粗糙化的 GaN蓝宝石界面 利用 GaN 基大功率 LED 作为一种新型高效的 能散射从有源区发射的光子 ,使得原本全反射的光 固体光源 ,具有能耗小、高功率、寿命长、体积小、环 子有机会出射到器件外部 ,能有效提高光提取效率. 保等显著优点 ,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光 图形衬底的样式有多种多样 ,各个研究小组都 灯之后的第三代照明工具 ,被公认为 21 世纪最具发 设计了不同的衬底图形来尝试提高器件的效率[5 ,6 ] . 展前景的高技术领域之一[1 ,2 ] . 目前使用最广泛的外