导模法和温度梯度法生长r面蓝宝石_英文_.pdf

第36 卷第5 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ，No. 5 2 0 0 8 年 5 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY M a y ，2 0 0 8 导模法和温度梯度法生长r 面蓝宝石 1,2 1 1 1,2 1 杨新波 ，李红军 ，徐 军 ，程 艳 ，周国清 (1. 中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800 ；2. 中国科学院研究生院，北京 100039) 摘 要：r 面( 0112 )蓝宝石晶体可用作制备非极性GaN 薄膜的衬底。采用温度梯度法(temperature gradient technique, TGT)和导模法(edge-defined film-fed crystal growth, EFG)生长了质量良好的r 面蓝宝石晶体。利用双晶衍射、光学显微镜、光谱仪观察和分析了晶体的结构和缺陷。结果表明：TGT 法生 长的r 蓝宝石晶体的双晶摇摆曲线对称性好，半高宽值仅为18 3 –2 rad·s ，位错密度为4 × 10 cm ，透过率达83%，晶体质量好。与TGT 法相比，EFG 法 5 –2 生长的r 面蓝宝石晶体的结构完整性较差，位错密度为5 × 10 cm ，透过率仅为75% 。但是EFG 法具有晶体生长速度快，后期加工成本低的优点。 关键词：温度梯度法；导模法；蓝宝石；位错密度 中图分类号：TQ164 文献标识码：A 文章编号：0454–5648(2008)05–0678–05 GROWTH OF r-PLANE SAPPHIRE BY EDGE-DEFINED FILM-FED GROWTH AND TEMPERATURE GRADIENT TECHNIQUE 1,2 1 1 1,2 1 YANG Xinbo ，LI Hongjun ，XU Jun ，CHENG Yan ，ZHOU Guoqing (1. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China) Abstract: ( 0112 ) r-plane sapphire is usually used as a substrate for growing nonpolar ( 1120 ) a-plane GaN film. r-plane sapphires with good quality were success