托卡马克中的对流损失.pdf

|qc}4．(、) i一 托卡马克中的对流损失 TL毛s|2宰 ， H．Ohtsuka等著 荒 禾译 钟 晨校 ／ ／ — —— 一 ’ t ( ／／ts ．： ^ 本文研究了JFT一2M托卡马克中大尺度直流型等离子体对浇． 在等离子体边缘区域，观测到 EXB捌对流 ．它是由等离子体与极 向孔栏和注入的RF波的相互作用 弓I起的。在低混杂 (LH)波注 入期间对边缘 电势变化的观测表 明．LH阶段约束的改进是由于固有的EXB对流减弱所致 。这些结 果已用于构造舱解释在托卡马克NBI实验中发现的L和H模式的模捌 。此模捌既包古基于障碍物 引起对流的约束变差机制，也包古 由于沿磁力线电导率增大而导致的恢复．模捌和典捌的实验结果 相符。 关键词堑：E里牟一JFTT．~ 对流．堕煎塑炭L和H模式模型 挈，手体 毒彳【兰 — —- -- - — —。 ‘。 ‘ 一 ··-_ ·～ i 前言 在多极装置上 已将约束等离子体的对流胞作为一种等离子体损失机制作 了充分的研究。 这些研究已导致如下结论 ：等离子体中任何定域的扰动或不均匀性都会引起E× 对流}例如 由误差磁场 (JAERI的六极器 ’，威斯康星的八极器 )、冷气体注入 (卡拉姆的四极器 a)、内 部导体的支架(威斯康星的八极器 、普林斯顿的球形器E：及 JAERI的六极器[)和不均匀等 离子体的产生 (普林斯顿直线四极器 )都引起EXB对流。这个结论也意味着 ，如果存在定域 扰动，托卡马克中必定产生对流。托卡马克等离子体中不均匀性最可能的原因是等离子体与孔 栏的相互作用。如果附加的RF波或中性束注入与等离子体发生定域相互作用，象多极器情况 那样，那么它们也似乎是一种可能的原因。几年来，我们已在 自己的JFT一2M托卡马克装置上 找到了这样一种流的证据 。 在本文我们汇集了各种早期的研究结果 ，并通过考察这个证据，研究了托卡马克中对流 的作用。特别是，在这项研究的过程中，我们已发展了一种概念，它既包含约束变差 (L模式)的 机制，也包台向欧姆阶段(H模式)的恢复。我们提出一种解释 ，约束变差是等离子体与孔栏相 } 互作用引起的对流的结果，而恢复是 由于这种流减弱所致 。在删削层中对流的存在 已经在几个 托卡马克中得到证实 -1。然而，尚未找到对所观测到的结构的满意解释 。 2 孔栏引起 的对流的观测 在本节我们描述 由极 向孔栏引起的等离子体对流的观测结果。实验是对如下条件下的欧 姆 加热等离子体作 的；等离子体大半径R= 130cm，小半径 = 30cm，等离子体 电流 ，一 150kA，环 向磁场 B =1．25T，平均 电子密度 = (2—3)×10”cm ，并以氢作为工作气体 。 用 电影摄影机观测在 内部投向孔栏附近的可见光图形。此外 ，孔栏阴影区的等离子体密度用朗 缪尔探针监测}两个探针放在孔栏的右侧 ，距离孔栏 26cm，并处在 中平面上 ／下 15cm 的地方 。 探针头的位置在孔栏半径外 1．5cm处。 图 1示出了摄得的照片。可 以看到光发射的明显的不对称图形。在 图l(a)，在孔栏的右侧 及 中平面稍下面一点有强的光发射 ，而在孔栏的左侧，明亮区域出现在中平面偏上的地方。将