第5章物理设计的基本要素第5章物理设计的基本要素.PDF

第5 章 物理设计的基本要素 第5 章 物理设计的基本要素 本章目录 5.1 基本概念 5.2 基本结构的版图 5.3 单元概念 5.4 FET的尺寸确定和单位晶体管 5.5 逻辑门的物理设计 5.6 设计层次化 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 1 §5.1 基本概念 物理设计中多边形的例子 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 2 §5.1 基本概念 CAD工具 基本工具： • Layout Editor ：版图编辑器 辅助工具： • LVS ：Layout versus Schematic版图与电路图对照 • DRC ：Design Rule Check设计规则检查 • ERC ：Electrical Rule Check 电气规则检查 • LPE ：Layout Parasitic Extraction版图寄生参数提取 • Place and Route ：布局布线 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 3 §5.2 基本结构的版图 p衬底（n阱）CMOS工艺： 0 从p型衬底开始 7 多晶接触（Poly contact ） 1 n阱（nWell ） 8 金属1 （Metal 1 ） 2 有源区（Active ） 9 通孔（Via ） 3 多晶（Poly ） 10 金属2 （Metal 2 ） 4 p选择（pSelect ） 11 覆盖玻璃（Overglass ） 5 n选择（nSelect ） 6 有源区接触（Active contact ） 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 4 §5.2 基本结构的版图 设计规则：只针对掩模上的图形 设计尺寸：版图尺寸。 有效尺寸：在芯片上最终生产出来的尺寸。 曼哈顿几何形状：所有的转角都是90 °的倍数 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 5 §5.2 基本结构的版图 §5.2.1 n阱 •wnw=n阱掩模图形的最小宽度 •snw-nw=相邻n阱的边至边的最小间距 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 6 §5.2 基本结构的版图 §5.2.2 有源区 FOX=NOT(Active) FOX+Active=Surface •wa=一个有源区图形的最小宽度 •s =有源区掩模多边形边至边的最小间距 a-a 2016-9-9 第5章 物理设计的基本要素 7 §5.2 基本结构的版图 §5.2.3 掺杂硅区 n+区的设计 n+=(nSele