第六讲版图设计实例.PDF

主要内容 第十四讲集成电路版图设计 版图概述 • 设计规则 • 天线效应 模拟电路的版图技术 • 叉指晶体管 刘毅 • 对称性 • 参考源的分布 设计规则文件 最小宽度 (1)由于制造过程中不可避免地 定义：掩模上定义的几何图形的宽度(和长度)必须 存在对准偏差，所以为保证晶 大于一个最小值，该值由光刻和工艺的水平决定。 体管被包含在n阱内，应使n阱 环绕器件时留有足够的余量。 (2)每个有源区(源/漏区以及 与n阱相连的n区)都被相应的注 入区图形包围，且有源区边界 与注入区边界之间有足够的间 距。 (3) 栅区需要一块独立的掩 模。 (4)接触孔掩模窗口提供了有源 区和多晶硅到第一层金属的连 接。 最小间距 最小包围 定义：在同一层掩模上，各图形之间的间隔必须大 于最小间距，在某些情况下，不同层的掩模图形的 间隔也必须大于最小间距。 1 最小延伸 CMOS工艺通常包括了150个以上的版图设计规则 有些图形在其它图形的边缘外还应至少延长一个 A1：有源区一有源区间距 最小长度。 A2；金属宽度 A3：金属一金属间距 A4：有源区对接触孔的包围 A5：多晶硅—有源区间距 A6：有源区一阱间距 A7：阱对有源区包围 A8：多晶硅一多晶硅间距 天线效应 模拟电路的版图技术 假设一个小尺寸MOS管的栅极与具有很大面积的第 叉指晶体管 一层金属连线接在一起，在刻蚀第一层金属时，这 片金属就像一根“天线” ，收集离子，使其电位升 对称性 高。因此，在制造工艺中这个MOS管的栅电压可增 参考源的分布 大到使栅氧化层击穿，而这个击穿是不能恢复的。 叉指晶体管 对称性 2