半导体器件的认识.doc

半导体器件的认识 一、项目分析 项目实例内容 本项目先讨论了半导体的导电特性和PN结的基本原理，接着讨论了二极管、稳压管、三极管、场效应管和晶闸管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。 项目分析 用半导体制成的电子器件，统称为半导体器件。半导体器件具有耗电少、寿命长、重量轻、体积小、工作可靠、价格低廉等一系列的优点，因此在电子技术的各个领域中得到了广泛应用。 知识点 1．半导体的导电特性和PN结的基本原理； 2．二极管的结构、伏安特性； 3．三极管的结构、电流分配原理、工作状态和条件。 能力点 1．会识别二极管、能测绘其伏安特性； 2．会识别三极管、能分析其电流分配情况； 3．能测绘三极管的传输特性曲线； 4．能熟练应用特殊二极管、绝缘栅型场效应管。 二、相关知识 （一）半导体的基本知识 半导体器件是电子电路的核心部分。近代电子学已经由独立的半导体器件发展到了 集成电路，特别是大规模和超大规模集成电路的出现，使科学技术步入了电子、微电子时代。 1．半导体 自然界的物质按其导电能力可分为导体、绝缘体和半导体。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。 2．半导体的物理特性 （1）半导体独特的物理特性 ① 热敏特性：半导体的电阻率随着温度变化而显著变化。如纯锗当温度从20℃升高到30℃时，其电阻率约降低一半。利用这一特性制成的热敏元件，常用于检测温度的变化。这种特性造成了半导体器件的温度稳定性差。 ② 光敏特性：某些半导体材料受到光照时，电阻率迅速下降，导电能力显著增强。例如，常用的硫化镉（CdS）材料，在有光照和无光照的条件下，其电阻率有几十到几百倍的差别。利用这种特性可制成各种光敏元件，如光敏电阻、光电管等。 ③ 掺杂特性：在纯净的半导体材料中掺入某种微量的杂质元素后，其导电能力将猛增几万倍甚至几百万倍。例如，在纯硅中掺入百万分之一的硼，即可使其电阻率从0.214×106(·m下降到0.4·m。这是半导体最突出的特性。 正因为半导体有这些独特的物理特性，它才成为制造电子元器件的重要材料。热敏电阻、光敏电阻、二极管、三极管、场效应管、晶闸管等都是常见的半导体器件。现在，制造半导体器件的主要材料是锗和硅。 （2）半导体的晶体结构 纯净的、具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。 最常用的本征半导体是锗和硅晶体。它们都是四价元素，原子最外层轨道上有4个价电子。由于晶体中相邻原子的距离很近，原子的1个价电子与相邻原子的1个价电子容易组合成一个电子对，这对价电子是相邻原子所共有的，这种组合称为共价键结构。因此，在晶体中，1?个原子的4个价电子就会分别与其周围的4个原子组成共价键，如图1-1所示。 在热力学零度（－273.16℃）且没有其他外部能量作用时，价电子被共价键紧紧束缚着，使得半导体中没有可以自由移动的带电粒子。此时，晶体中没有载流子，导电能力如同绝缘体。 当半导体温度上升或给半导体施加能量（如光照）时，一些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，此过程称为本征激发。自由电子是一种可以参与导电的带电粒子，即载流子。 价电子脱离共价键束缚成为自由电子的同时，在相应共价键中留下一个空位置，称为空穴。邻近原子上的价电子容易填补这个空穴，这样就在邻近原子处留下一个新的空穴，如图1-2所示。空穴的运动相当于正电荷的运动。 在外加电场的作用下，带负电的自由电子逆着电场方向作定向运动，形成电子电流；带正电的空穴则顺着电场方向作定向运动，产生空穴电流（实际上是价电子按反方向依次填补空穴的运动所产生的）。由于所带的电荷不同，虽然它们运动方向相反，产生的电流方向却是相同的。因此，总电流是自由电子电流和空穴电流之和。可见，半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。 载流子的数量决定了半导体的导电能力。载流子浓度越高，半导体的导电能力就越强。载流子的数量与温度，光照程度和掺入杂质浓度等因素有关，因此半导体的导电能力也与温度、光照、掺入杂质浓度等因素有关。 图1-1 硅或锗晶体共价键结构示意图 图1-2 电子和空穴的形成 在本征半导体中，受激后的自由电子和空穴总是成对产生的。同时，自由电子在运动过程中与空穴相遇，自由电子会填补空穴，两者同时消失，称为复合。在一定温度下，载流子的产生与复合达到动态平衡，使得载流子维持在一定的数目上。当温度升高或受到光照时，更多的价电子被激发而挣脱共价键的束缚，产生的自由电子-空穴对的数量将增多，复合也会增多。最终，激发和复合在此温度下再次达到平衡，载流子数量增多。 在常温下，本征半导体的导电能力极差。 3．