射频集成软磁薄膜器件分析.PDFVIP

射频集成软磁薄膜器件分析 Analyses of Radio Frequency(RF) Integrated Soft Magnetic Film Devices 高翔，晓鹰 编译 摘 要：文章首先介绍了在行波场存在的情况下，怎样对射频直到6GHz频率范围内的金属软磁薄膜的磁导率进行测量。 然后，在软磁薄膜复数磁导率分布图的基础上，系统地论述了金属软磁薄膜在射频频段范围内的应用。这种磁 2)矩形螺旋线圈的铁磁射频集成电感器及在AC场中， 膜用在工作频率为2GHz的绕有4匝尺寸为200×400(μm -6 -1 -12 (6×10 )的高频载波型薄膜磁场传感器（也被称为GMI传感器）时具 Am/ T/ 灵敏度为4.8×10 HZ HZ L Q 有最佳性能：=7.9nH和=12.7。文章对这两种磁器件进行了详细分析。 关键词：薄膜铁磁材料，复数磁导率，射频(RF)，特高频(UHF)，铁磁共振，集成磁器件，高频载波型薄膜磁场传感器 中图分类号：TM454 文献标识码：B 文章编号：1606-7517(2014)11-5-138 1 引言 开发现代TI器件的基础。在此文所论的测量中，对UHF 或其以上频率范围，需要将平面磁膜——基片样品使用的 IT技术的发展为软磁薄膜在射频(RF)范围，尤其是 现有磁导仪加以分类，以便于阐明这项工作的特点。在大 在800MHz~6GHz频率范围工作的集成无源元件、抗电磁 多数情况下，磁导仪是以传输线形式构成的UHF磁场发生 噪声干扰(EMI)器件和传感器等方面的应用提供了广阔的 器。其实际结构可以是平行线、微带线、或是带状线。在 市场。这些应用可以根据磁膜的复数相对磁导率μr加以分 本文中，提出了又一种磁导仪，它由可以产生均匀行波电 μ μ jμ 类(= - )。 r r r 磁场的带状线、屏蔽回路型平面耦合线圈，能向耦合线圈 对于单片微波集成电路(MMICs)所使用的集成磁性薄 区域感生强劲直流(DC)场的亥姆霍兹线圈、一台网络分 μ μ 膜电感器、变压器和传输线而言，高 和 =0的磁性薄 r r 膜将是理想的磁膜；这样，通过增大磁性薄膜中的磁通链 析仪（Hp8720D型）和一台主计算机构成。该磁导仪的特 并减小器件的尺寸和降低其损耗，就能够提高晶片每单位 点是将行波激励和耦合线圈拾取相结合，以鉴定金属薄膜。 面积的功能度。 这种测量装置与方法曾有文章讨论过，但对于GHz频率范 围电场的感生电压的影响如何尚不明了。 μ μ 集成化抗电磁干扰噪声的元件要求低的 和高的 值。