V高掺杂量对ZnO(GGA+U)导电性能和吸收光谱影响地研究.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 19 (2014) 197102 V 高掺杂量对ZnO(GGA+ )导电性能和 吸收光谱影响的研究∗ 侯清玉 吕致远 赵春旺 (内蒙古工业大学理学院物理系, 呼和浩特 010051) ( 2014 年5 月10 日收到; 2014 年6 月6 日收到修改稿) 目前, 在V 高掺杂ZnO 中, 当V 掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167 的范围内, 掺杂量越增加, 电阻率越增 加或越减小的两种实验结果均有文献报道. 为解决这个矛盾, 本文采用密度泛函理论的第一性原理平面波超 软赝势方法, 构建未掺杂ZnO, V 高掺杂的ZnV O ( , 0.04167) 两种超胞模型, 首先, 对所有 体系进行几何结构优化, 在此基础上, 采用GGA+ 的方法, 计算所有体系的能带结构分布、态密度分布、吸 收光谱分布. 结果表明, 当掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167 的范围内, V 掺杂量越增加, 掺杂体系体积越增 加, 总能量越下降, 形成能越减小, 掺杂体系越稳定, 相对电子浓度越减小, 迁移率越减小, 电导率越减小, 最 小光学带隙越增加, 吸收光谱蓝移越显著. 计算结果与实验结果相一致. 关键词: V 高掺杂ZnO, 电导率, 吸收光谱, 第一性原理 PACS: 71.15.–m, 75.15.Mb, 72.15.–v DOI: 10.7498/aps.63.197102 Mhamdi 等11 采用喷雾热分解法研究了V 掺杂 1 引 言 ZnO 的光学性质, 结果表明, 掺杂量为1at%—5at% 的范围内, 掺杂体系光学带隙为3.1—3.2 eV. Tahir ZnO 是直接宽带隙氧合物半导体材料, 激子结 等12 采用加热退火法研究了V 掺杂ZnO 纳米颗 合能为60meV, 室温下带隙宽约为3.37 eV 1 . 与氮 粒的光学性质和磁性, 结果表明, V 掺杂浓度越增 化镓(GaN) 的带隙宽相近. ZnO 在光电、压电、热 加, 掺杂体系的带隙宽度越变宽、磁性越强. Singh 电、铁电等方面都具有优异的性能, 已受到研究者 等13 采用溶胶凝胶法研究了V 离子掺杂ZnO 的 28 的广泛关注 . 光学性质, 结果表明, 当二价V 离子掺杂摩尔数为 迄今为止, 在实验方面, V 掺杂ZnO 的光电磁 0.01 时, 掺杂体系的吸收带边位于波长560 nm 处. 9 性能研究比较广泛, Lin 等 采用脉冲直流磁控溅 目前, 在理论计算方面, V 掺杂ZnO 的光电磁 射法研究Cr-V 共掺对AZO(ZnO:Al) 化学性能和 14 性能研究也比较广泛, Wang 等 用第一性原理 热稳定性的影响, 结果表明, Cr-V 共掺有助于增 分别研究了V 单掺、掺V 与氧空位及掺V 与锌空位 加ZnO 薄膜的耐化学性和热稳定性, Cr-V 共掺浓 对ZnO 电子结构和磁性的影响, 结果表明, V 掺杂 度的增加, 掺杂体系的吸收带边向低能级方向移 ZnO 体系的磁性主要来源于V 原子释放的电子. V 动, 导致光学带隙减小. Krithiga 等10 采用双烧结 掺杂氧空位在ZnO