改进地！#方法模拟薄膜二维生长.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $ % ， ， ， /9 ,$ N9 , 3@F % （ ） !;(%’I%I$ I%%!%;# +.-+ JKL2M.+ 2MNM.+ !% .O5: , JOF8 , 29E , !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 改进的!# 方法模拟薄膜二维生长 谢国锋 王德武 应纯同 （清华大学工程物理系，北京 !#$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$ !’ %$ ’ %( 对经典的 模型进行改进，研究了薄膜的二维生长过程 通过改变表征吸附原子在基底扩散能力的参量 )*+ , ， 以及表征沉积速率的参量 ，得到了与实验一致的薄膜分形生长模式和团状生长模式 分析了薄膜的形核 !- !. !/ , 阶段原子团的大小分布，以及不同条件下原子团的数目和大小随覆盖度的变化, 关键词： ，薄膜生长，分形生长，团状生长 )*+ ： $#%% 0# ［— ］ ）方法0 !! 、 （ ）方 39:? .@B9 3) =9?E7@B 4F:@=5E8 ［ — ］ !1 引 言 法!% !0 取得了关于薄膜生长的大量研究成果, 薄膜生长过程极为丰富而复杂，与沉积物质的 % 1 模 型 组成元素，生长衬底的种类、结构，沉积粒子的能量， 方法是一种随机行走模型 针对成核的分 沉积生长条件，衬底温度变化与控制辅助沉积与其 )*+ , ［］ ( 形生长模式， 等 提出了著名的 受限扩 他制备手段等一系列因素都密切相关, 尽管如此，从 G5?: )*+ 散聚集模型，也是研究薄膜生长过程较早的模型 该 总体上说一般薄膜生长过程可以大致归结为两个阶 , ［］ 段，即新相形核与薄膜生长阶段!