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石墨烯 第一小组 内容 1.石墨烯的结构 石墨烯指单层石墨层片，仅有一个原子厚。 Sp2杂化的碳原子紧密排列为蜂窝状晶体结构，每个六边形可以看成一个苯环。 每个晶格内有三个 键，连接牢固 垂直于晶面的 键对导电性起很大作用。 厚度仅为0.35nm 结构稳定，受外力时能发生弯曲变形。 1.石墨烯的结构 为有限结构，以纳米级条带的形式存在，电荷在横向移动时会产生能量势垒，随条带宽度减小而增大。 根据边缘碳链不同可以分为“锯齿形”和“扶手椅型”。 Company Logo 2.石墨烯的发现 1.碳的同素异形体： 碳以不同的杂化方式（sp、sp2、sp3）构成不同的物理和化学性质的晶体结构。 1985年——C60等富勒烯被发现 1991年——碳纳米管 2004年——石墨烯由Andre Geim和Konstantin Novoselov发现。 2.石墨烯的发现 1934年，朗道（L.D.Landau）和佩尔斯（R.E.Peierls）认为，石墨烯是理论上的结构，不会实际存在： 1.热力学不稳定性 2.表面起伏会破坏二维晶体生长 1947年，菲利普·华莱士（Philip Wallace）开始研究石墨烯的电子结构。 2.石墨烯的发现 1956年，麦克鲁（J.W.McClure）推导出了相应的波函数方程。 1960年，林纳斯•鲍林（Linus Pauling，诺贝尔化学奖、和平奖得主）质疑石墨烯的导电性。 1966年，大卫•莫明（David Mermin）和赫伯特•瓦格纳（Herbert Wagner）提出Mermin-Wagner理论，指出表面起伏会破坏二维晶体的长程有序。石墨烯再次被论证不会实际存在。 1984年，谢米诺夫（G.W.Semenoff）得出与波函数方程类似的狄拉克方程。 1987年，穆拉斯（S.Mouras）才首次使用“graphene”这个名称来指代单层石墨片（石墨烯）。 后来，美国得克萨斯大学奥斯汀分校（University of Texas at Austin）的罗德尼•鲁夫（Rodney Rouff）曾尝试着将石墨在硅片上摩擦，并深信采用这个简单的方法可获得单层石墨烯，但很可惜他当时并没有对产物的厚度做进一步检测。美国哥伦比亚大学（Columbia University）的菲利普•金（Philip Kim）也利用石墨制作了一个“纳米铅笔”，在一个表面上画写，并得到了石墨薄片，层数最低可达10层。 2.石墨烯的发现 2004年，安德烈•盖姆和康斯坦丁•诺沃肖洛夫在Science杂志上发表了关于石墨烯的第一篇文章，介绍了石墨烯的获取方法及其场效应特性检测结果。令人意想不到的是，他们所采用的“微机械剥离法“的关键之处竟然是用最普通的胶带在高定向热解石墨上反复剥离，最终获得石墨烯。 2005年，在Nature杂志上，盖姆等人和菲利普·金小组同时证明单层石墨烯具有同理论相符的电子特性。 3.石墨烯的性质 1.超轻材料，密度为0.77mg/m2 2.优异的光学性能，对可见光透过率为97.7% 3.电导率良好，可达10^6 S/m，可通过化学改性进行控制。 4.优异的力学热学特性： 已知强度硬度最高的晶体结构，抗拉强度和弹性模量为125GPa和1.1TPa。 热导率为5000W/(m*K),为铜的10倍多。 5.比表面积可达2630m2/g。 4.石墨烯的制备 1.制备步骤 其基本思路是将固相剥离的概念应用于液相，起始原料为石墨。此方法成本低，周期短，产量大，常被应用于石墨烯复合材料的制备。 一、氧化还原法（液相法） 4.石墨烯的制备 2、 氧化石墨烯制备 目前常用的制备氧化石墨烯的方法： 一、氧化还原法 这3种方法的原理均为先采用强酸处理石墨，待形成石墨层间化合物（膨胀石墨）后，再加入强氧化剂。其中，产物的氧化程度可以通过反应时问调节控制，可以通过产物中C、O原子比进行衡量。但是前两种方法会产生ClO2、NO2等气体，且反应时间长，所以Hummer法应用最广泛。 4.石墨烯的制备 3、 氧化石墨烯的还原 还原石墨烯的常有方法主要有三类 一、氧化还原法 第一类：使用还原剂在高温或者高压条件下，直接还原氧化石墨烯； 第二类：直接将石墨烯在惰性气体保护下加热（200°C以上）还原； 第三类：利用催化剂在光照或高温条件下还原。 4.石墨烯的制备 碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法，具有产物 质量高、生长面积大等优点，逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。 其原理是加热单晶SiC，使SiC热解碳硅间共价键断开碳原子析出或硅原子升华，然后对基板退火，碳原子在衬底表面析出重新排列形成石墨烯。 在单晶4H或6H-SiC的特定晶面上热解脱除Si来制取石墨烯，将样品的表面进行氧化或氢气蚀刻后，在超低压高真