硅基图案化HfO2表面微结构的制备和表征.pdfVIP

助 锨 材 料 硅基图案化Hf02表面微结构的制备和表征。 谈国强，博海洋，苗鸿雁，夏 傲，贺中亮 (陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室，陕西西安710021) 摘 要： 结合光刻印技术和Hf02液相自组装沉积器件构成了现代电子与信息产业的基石。从微电子学 成膜技术，在单晶硅表面成功地制备了具有微米级图 的角度看，硅基微结构的制备十分重要，本文采用光刻 案结构的HfO。薄膜，该硅基图案化HfOz微结构近来印技术在硅基板上制备HfOz晶态薄膜的图案。 在工业界特别是微电子领域引起极度的关注。X射线 2 实 验 衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)显示，在图案区域成功 2．1 实验原料 制备了Hf02薄膜，EDS能谱测试显示了图案区域的 Hf02薄膜的化学组成。 四水硫酸铪，99．99％，北京蒙泰有研技术开发中 关键词： 微图案；光刻印；Hf02微结构 心，盐酸，36％～38％，开封化工厂；十八烷基三氯硅 中图分类号：TB43；TQl34．1文献标识码：A 烷，98％，天津市翔宇科技贸易公司；无水乙醇，≥ 文章编号：1001-9731【2009)10-1660-0399．7％，西安三浦精细化工厂；丙酮，≥99．5％，上海试 剂一厂；甲苯，99．9％，上海化学试剂三厂。 1 引 言 2．2 基片表面功能化(SAMs)与HfO。薄膜制备 传统的光刻印技术在电子学、集成电路以及微阵 首先将硅基片分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水 列制备等领域中起着十分重要的作用。随着集成电路 中超声清洗15min，干燥后的洁净基片在配置有低压 汞灯的光表面处理机(PLl6—110，Sen 集成度的提高，晶体管尺寸和集成电路的最小线宽越 LightsCorpora- 来越小，尽管在微小尺寸上组装更多的元件是电子领 域发展的需要，但是用传统光刻印技术在100nm尺 寸上操纵、组装更小的元件是很困难的，而且很不方 便[1]，费用也比较昂贵。精确的控制纳米结构在纳米 电子技术中是十分关键的。经过纳米尺度修饰后的微 片进行紫外照射30rain，最后将功能化的基片放人预 型功能器件应具有操作连续性、较大的内表面／体积 先配置好的HfOz的前驱液中，沉积温度控制在80℃， 比、短程扩散距离等，并且有超过大型、微型器件的优 沉积时间控制在6h。沉积好的薄膜在500℃下进行退 点。新发展起来的一些纳米技术可以使器件的尺度小 火处理。 2．3样品测试 到100rim以下。刻印技术作为纳米有序结构制备的 关键技术，在纳米器件的制备中占主导地位，特别是光 采用接触角仪(ContactAngle 刻印技术应用广泛口]，一些新的制造有序的纳米结构 Solon 薄膜的刻印技术有；软刻印技术(solflithography)t引、处理的基片进行表面润湿性测定，每次滴加水量为 浸笔纳米印刷技术(dip-pennanolithography， DPN)[卜61、电子束刻印技术(e-beamnanolithogra— phy)、纳米球刻印技术(nanospherelithography)t7’11] 等。 光刻印技术(photolithography)是一种投影印刷 技术，也就是利用光刻胶、掩膜板和紫外线等来进行微 进行表面元素测定。 结构的制备。该技术大体分为两个步骤：(1)制备掩 3结果与讨