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2017-06-14 发布于北京
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Ni2+对KDP晶体生长及缺陷影响的研究.pdf

人工晶体学报第41 卷第5 期 Vol. 41 No.5 2012 年 10 月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS October ,2012 2 Ni + 对 KDP 晶体生长及缺陷影晌的研究柴向旭，王波，王圣来，孙沟，顾庆天，丁建旭，李毅平，许心光 (山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 2501∞) 2 2 摘要:采用传统降温方法生长了不同 Ni + 掺杂浓度的 KDP 晶体。实验发现当 Ni + 掺杂浓度小于 1 ∞o ppm 时溶液的稳定性随着掺杂浓度的增加而提高，大于 1 ∞o ppm 时溶液的稳定性开始下降，但仍高于纯态溶液的稳定性;随 2 着 Ni + 浓度的增加 KDP 晶体柱面的生长死区增加，柱面的生长速度略有下降，但在生长过程中没有观察到晶体的 2 模化;KDP 晶体的 XRD 分析及缺陷的研究表明 Ni + 对晶体的结构影响不明显，但晶体中的缺陷和内应力增加。关键词:KDP 晶体;溶液稳定性;缺陷;内应力文章编号:1ω0-985X(2012)05-1153..Q5 中图分类号:0781 文献标识码:A Study 00 the Effects of Ni2 + 00 the Growth aod Defects of KDP Crystals CHAI Xiαng-xu ， W，却VG Bo , WANG Sheng-lai , SUN Xun , GU Qing-tian , DING ]ian-xu , II Yi-ping , XU Xin-♂ωng (State Key Laboratory of Crystal Materials , Shandong University , Jinan 2501∞， China) (Received 6 lune 2012 , accepted 4 luly 2012) Abstract :In this papt!r , KDP crystals were grown with dífferent concentrations (0 ppm-2(则刀 ppm) of Ni 2 + by traditional temperature cooling method. The result indicates that when the concentration of Ni2 + is 2 less than 1α)() ppm , the solution stability increases as the Ni + concentration increasing to some extent.