半导体器件和集成电路的形成.DOC

第十六章 半导体器件和集成电路的形成 概述 集成电路是由一些单个的器件如导体，熔断丝，电阻器，电容器，二极管，和晶体管组成的。我们将研究每种器件的形成和运行。本章还将介绍从这些单个的器件形成集成电路的过程。 目的 完成本章后您将能够： 描绘并区分一个集成电路中各种组成器件其主要的结构特征。 解释应用于集成电路中的不同的隔离结构的作用。 描绘并区分双极和MOS晶体管的运行机制。 列出不同MOS栅结构的种类和各自的优点。 描绘并区分Bi-MOS的各个部分. 半导体器件的生成 前面的章节重点阐述了用于生成半导体器件（也可称为元件或电路元件）和集成电路的一些单独的工艺。我们假定读者将已经阅读（或熟悉）这些工艺并且对第十四章中解释的各个独立的电路元件的电性能有了很好的理解。现实中差不多有成千上万种不同的半导体器件结构。它们被用在整个集成电路或在单一的某个部分中去实现特定的性能。虽然器件结构千变万化，但是组成每一种主要器件和电路类型的一些基本结构是不变的。本章对这些基本结构进行了讲解。精通并掌握它们对于理解半导体世界的丰富的各种演化与创新是至关重要的。这些电路元件是： 电阻器 电容器 二极管 晶体管 熔断丝 导体 电阻器 电阻器有限制电流的作用。这可以通过使用介电材料或者半导体芯片表面的高电阻部分来实现。在半导体技术中，电阻器是在芯片表面，掺杂区和淀积薄膜的隔离部分上生成的。 电阻器的阻值（以欧姆为单位）是电阻器的单位阻值和其尺寸的函数（图16.1）。关系式为 R=ρL/A 其中： ρ=电阻率 L=电阻区域的长度 A=电阻区域的截面面积 面积（A）变成了W×D，其中W=电阻器的宽度，D=电阻区域的深度。对于掺杂型电阻器，长和宽是表面开口图形的长和宽，深是结的深度。 图 16.1 电阻值与电阻率和截面积的关系 很明显，每一个掺杂区域 也是一个电阻器且电流量仍然遵循电阻器的基本公式。一个导体简单意义上只是低电阻率的电阻器。欧姆定理概念上最重要的东西是器件或电路上任何区域的电阻随这个区域尺寸或掺杂程度的变化而变化。 掺杂型电阻器。集成电路中的大多数电阻器都是由氧化，掩膜和掺杂工艺顺序生成的（图16.2）。在氧化层表面生成一个图案。典型的电阻器是哑铃形的（图16.3）. 两端是矩形作为接触区。中间细长的部分起到电阻器的作用。用这个区域的方块电阻和其所包含的方块的数量就可计算出这个区域的阻值。方块的数量等于电阻区域的长度除以宽度。 在掺杂和随后的再氧化工艺结束后，在两端的矩形区域刻蚀出接触孔以便将电阻器连接到电路中。一个电阻器是一个两个接触点，没有结的器件。术语no-junction的含义是电流在两个接触区之间流动，而没有穿越N-P结或P-N结。然而结可以起到限制流经电阻区域的电流的作用。 图16.2 拆开的电阻器形式 图16.3 电阻器形状 contacts 接触 由离子注入进行掺杂而生成的电阻器比那些在扩散区域生成的电阻器的阻值更容易控制。掺杂型电阻器可以整个制造工艺中的任何一个掺杂步骤中生成。一个基于双极型的掩膜就会有基本图形和一套电阻器的图形。在MOS电路生成源极和漏极的掺杂步骤中，也同时生成电阻器。电阻器的掺杂参数（方块电阻，深度，和掺杂量）与晶体管是一样的。 EPI电阻器。一个电阻器可以通过隔离一部分外延层区域来形成（图16.4）。在表层氧化和掩膜生成接触孔后，剩下的是具有电阻器功能的三维区域。 Pinch 电阻器。欧姆定律表明电阻器的横截面积是决定其阻值的一个因素（图16.5）。一种缩小横截面积（并增加电阻值）的方法是先在电阻器区域进行掺杂，然和再进行一次具有相反传导特性的掺杂。这种情形通常发生在双极型工艺中，先通过发射淀积形成一个N型区域，此区域横界面为“pinched” 形状，随后在此区域再进行一次P型掺杂来生成最终的电阻器区域。 薄膜电阻器。 掺杂型电阻器并非总能满足一些电路对电阻控制的要求，同时它在辐射环境对其性能影响很大。空间中存在的各种辐射会在电阻器区域产生我们不想要的空穴和电子，会使结发生漏电流。由金属薄膜淀积生成的电阻器不存在这种因辐射产生的问题。 图 16.4外延层电阻器 contacts 接触 oxide氧化层 EPI layer EPI层 Wafer 晶圆 图 16.5压缩P形掺杂区的N形电阻器 contacts 接触 图16.6所示的电阻器或者按照薄膜淀积，掩膜的工艺顺序生成，或者是由升离技术生成。当电阻器在芯片表面生成后，通过与其两端接触的导电金属线， 它连接到电路中。镍合金，钛，钨等是典型的电阻器金属。 电容器 氧化硅电容器。 平面晶片技术是的基础是在硅晶片表面生长一层二氧化硅膜。金属导线位于二氧化硅上面。这就是电容器结构。事实上是MOS电容