半导体元件模拟 - 中兴电机 - 中兴大学.PPT

半導體元件模擬 張書通 張書通 副教授 大綱 Part I:能帶結構 - k.p - Tight-Binding - Pseudopotential Part II:傳輸特性 - Mobility Velocity Part III:模擬實作 - Strained Si CMOS devices - Solar Cell LED - TFT - SiGe HBT - III-V HEMT 參考教科書 Mark Lundstrom et al., “Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling, and Simulation,” Springer Mark. Lundstrom, “Fundamentals of Carrier Transport,” Cambridege Yongke Sun, Scott E. Thompson et al.,”Strain Effect in Semiconductor: Theory and Device Application,” Springer 評分方式 作業五次(寫程式)，每次10分 期中考20分 期末考20分(含上機考試) 期末報告10分 * * 研究領域： 1. 矽鍺半導體技術2. TCAD元件製程與模擬3. 新型奈米CMOS元件研究 HfAlO Ge dot Si 1 2 3 學歷：台大電機博士 經歷：1.中興大學奈米科技中心研發組組長 2. 工研院電子所顧問 3.中原電子助理教授 Ge NCs LED Solar Cell 模擬 Strained Si NMOS * * *