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即时发布 投资者关系： 媒体关系 Ed Lockwood Becky Howland, Ph.D. 投资者关系高级总监 企业通讯高级总监 (408) 875-9529 (408) 875-9350 ed.lockwood@ becky.howland@ KLA-Tencor 为尖端集成电路器件技术推出全新量测系统 全面工艺控制提升先进的多重曝光和 EUV 光刻技术 【加州MILPITAS 2017 年 2 月 22 日讯】KLA-Tencor 公司 （纳斯达克股票代码：KLAC）今天针 对 10 纳米以下 （sub-10nm）集成电路（IC）器件的开发和批量生产推出四款创新的量测系 统：Archer™600 叠对量测系统，WaferSight™ PWG2 图案晶片几何特征测量系统， SpectraShape™ 10K 光学关键尺寸（CD）量测系统和 SensArray® HighTemp 4mm 即時温度测量 系统。 这四款新系统进一步拓宽了KLA-Tencor 的独家 5D 图案成像控制解决方案™应用，提 升了包括自对准四重曝光（SAQP）和极紫外线（EUV）光刻在内的先进图案成像技术。 “领先的器件制造商正面对着极为严苛的图案成像规格。”KLA-Tencor 首席营销官 Oreste Donzella 指出：“为了解决图案成像的误差，芯片制造商需要量化工艺变化，区分变化产生 的原因并从根源解决问题。 今天发布的全新量測系统可以为客戶提供关键的数据，帮助工程 师落实光刻工艺中曝光机的具体校正，以及蚀刻、薄膜和其他工艺模块中的工艺改进。 我们 推出了全新的叠对量测，图案晶片几何特征，光学关键尺寸和即时温度测量等系统，这对于 推动 193i 多重曝光性能和早期 EUV 光刻基准数据收集等方面都极为关键。” Archer 600 采用全新光学系统和新型测量图形，延伸基于图像的叠对误差量測技术，帮助先 进的逻辑电路和內存芯片制造商实现小于将 3nm （sub-3nm）的叠对误差。 创新的 ProAIM™图 形技术可以容忍更大的工艺变化，提升量测图形反应的叠对误差与器件本身叠对误差的相关 性，实现更精确的叠对误差量测。 Archer 600 的新型光学技术，包括亮度更高的光源和偏振 模块，能够在不同的工艺层上 （从薄光阻层到不透明阻挡层）提供更精确的叠对误差反馈和 控制。 随着产能的提高，Archer 600 可以增加叠对误差的采样，提升校准曝光机以及识别产 线工艺异常的能力。 Archer 600 系统已经由全球多个代工厂，逻辑电路和内存厂商安装运 行，用于测量最先进的半导体器件。 WaferSight PWG2 提供有关晶片应力和形状均匀性的全面数据，在膜沉积、退火、蚀刻及其 他工艺制程中被用于检测和匹配工艺参数。随着产能的显著提升， WaferSight PWG2 可以在 生产中增加晶片取样，协助芯片制造商识别和修复由工艺引起的晶片应力变化，并消除随之 而来的图案成像和良率问题。 WaferSight PWG2 提供的晶片形状数据还可以被前馈到曝光 机，并用消除晶片应力所引起的叠对误差，这对于 3D NAND 快闪内存器件的制造尤为重要， 因为厚膜堆叠技术可能造成晶片的变形。凭借业界独特的垂直晶片支架，WaferSight PWG2 可 以同时测量晶片的前后表面，提供晶片平坦度和形貌数据，用以改进曝光机对焦的预测和控 制。多家技术先进的 IC 制造商安装了 WaferSight PWG2 系统，用于光刻控制的开发，以及在 批量生产中优化和检测各种半导体生产工艺。 SpectraShape 10K 光学量测系统在蚀刻，化学机械抛光（CMP）和其他工艺步骤之后测量复杂 IC 器件结构的 CD 和三维形状。为了全面表征器件结构，SpectraShape 10K 采用了多项光学 技术，包括椭圆测厚仪的全新偏振能力和多角入射，以及用于反射计的 TruNI™照明新型高亮 度光源。这些技术保证该系统可以精确地测量许多与 FinFET 和 3D NAND 器件相关的关键参 数，例如 CD、高度、SiGe 形状和通道孔弓形轮廓。 SpectraShape 10K 具有比上一代产品更 高的产能，这帮助客户可以通过增加采样实现更为严格的工艺控制，同时也可以满足多