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常见异常分析 外延异常的分析是外延工程师最重要的能力之一，同时也需要长期的实践和积累。任何一种异常都没有绝对的原因，更没有万精油式的解决方法。因此，对外延数据进行分析切忌教条思想，一定要结合生产实际不断总结提高。 谢 谢 ！ LED外延基础知识 目录 半导体基础知识 外延结构与生长原理 常见异常分析 半导体基础知识 半导体的定义 晶体 能带的形成 N型、P型半导体 PN结发光原理 半导体基础知识 物体 电阻率 导体 半导体 绝缘体 Ω· CM 10e-4 10e-3~10e9 10e9 什么是半导体？ 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。表给出以电阻率来区分导体，绝缘体和半导体的大致范围。 半导体基础知识-晶体 单晶 晶体 多晶 固体： 非晶体 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 闪锌矿结构 半导体基础知识-能带 能级、能带————禁带、导带、价带 能级：电子是不连续的，其值主要由主量子数N决定，每一确定能量值称为一个能级。 能带：大量孤立原子结合成晶体后，周期场中电子能量状态出现新特点：孤立原子原来一个能级将分裂成大量密集的能级，构成一相应的能带。（晶体中电子能量状态可用能带描述） 导带：对未填满电子的能带，能带中电子在外场作用下，将参与导电，形成宏观电流，这样的能带称为导带。 价带：由价电子能级分裂形成的能带，称为价带。（价带可能是满带，也可能是电子未填满的能带） 禁带：在导带与夹带之间，电子无法存在的能带，称为禁带。 半导体基础知识-P型、N型 载流子：电子、空穴 ? 掺杂： 施主掺杂-N型半导体 受主掺杂-P型半导体 对GaN晶体而言，当生长时，加入SiH4，Si原子会取代Ga原子的位置，由于Ga是三价的，Si是四价的，因此多出一个电子，属于n型掺杂。反之，加入Cp2Mg， Mg原子会取代Ga原子的位置，由于Mg是二价，因此少了一个电子（多一个电洞），属于p型掺杂。 半导体基础知识-PN结、发光 形成PN结——电子、空穴注入——复合发光 外延结构与生长原理 外延原材料 气相外延原理 外延结构 各层生长原理和条件 Buffer-U1-U2-nGaN-MQW-pGaN-AlGaN 外延结构与生长原理-原料 衬底---蓝宝石衬底（AL203） MO源---TMGa(三甲基镓)；TEGa(三乙基镓)；TMAL(三甲基铝)；TMIN(三甲基铟)；CP2Mg(二茂镁) 气体---NH3；N2；H2；SiH4 价格 晶格常数nm 晶格失配度 热胀系数10-6K-1 应用厂商 GaN $160 0.319(钨锌) 5.59 6H-SiC $220 0.308 3.5% 4.20 美国Osram 蓝宝石（Al2O3） $20 0.476 13.8% 7.50 日本、台湾、大陆 Si(111) $2 0.543 17% 3.59 南昌晶能光电 ZnO 2% LiAlO2 1.4% 外延结构与生长原理-气相外延 H H H N CH3 Ga CH3 CH3 Ga CH4 = CH3 ? + H ? H? + H ? = H2 CH3 ? radical Ga(CH3)3 + NH3 GaN + 3CH4 H H H N Ga CH3 CH3 CH3 H2 H2 H2 H2 外延结构与生长原理-整体结构 衬底 Buffer 大约30nm u-GaN MQW（barrier+well) GaN/InGaN 约为300nm P-GaN 约为300nm AlGaN 约为200nm n-GaN 约4000nm 外延结构与生长原理-Buffer 由于衬底（AL203）与GaN材料的晶格失配较大，故在生长GaN之前需要生长一层薄薄的缓冲层，我们将其称为Buffer层。 高压、低温条件下通入TMG，在衬底表面快速沉积一层缓冲层。由于晶格失配，此时GaN结晶质量较差。 反射率曲线上升。 外延结构与生长原理-Roughing 即U1层，形成结晶质量较高的晶核，并以之为中心形成岛装生长。 首先在停止通入TMG的情况下升至高温，在高温高压条件下，Buffer