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第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性 路飞平 彭应全 宋长安 邢宏伟 李训栓 杨青森 兰州大学物理科学与技术学院兰州 摘要用真空蒸镀方法在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜 分析表明八羟基喹啉镉 薄膜呈多晶态且衬底温度越高衍射峰越强薄膜的结晶性能逐渐变好结晶晶粒尺度也越大 研究表明衬 底温度升高薄膜表面形貌越均匀有序质量变好 相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现衬底温度升高导致 反蒸发增强薄膜生长速率减小随着入射光波长的增加薄膜的折射率和消光系数逐渐减小 随着衬底温度升高 因薄膜晶粒尺度增大折射率和消光系数也增大并给出了它们的变化范围 关键字八羟基喹啉镉薄膜折射率消光系数 中图分类号 文献标识码 文章编号 分子式见图 是一种重要的 引言 单极型电子传输材料目前对它的研究报道比较少 这里我们以八羟基喹啉镉为原料通过真空蒸镀法 有机电致发光器件 具有功耗低高亮 制备了衬底温度不同的 薄膜用原子力显微 度视角宽效率高响应快柔韧性好和价格低廉等 镜 和 射线衍射 仪研究了 薄