垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响.pdfVIP

人工晶体学报 第44 卷第10 期 Vo l. 44 No.IO 2015 年 10 月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS October ,20 15 垂直转盘式 MOCVD 反应器 进口温度对 GaN 生长的影晌 鹏2 然I ，王宗琪l ，陈 左 (1.江苏大学能源与动力工程学院，镇江 212013;2. 南京大学电子科学与工程学院，南京 21∞93) 摘要:针对垂直转盘式 MOCVD 反应器进口温度对GaN 生长的影响进行数值模拟研究，分别考虑预提合进口和分 隔进口两种情况。通过对包含主要化学反应路径的气体输运过程的模拟，对比不同进口温度下衬底前沿的反应前 体浓度及其对应的生长速率的变化，从而确定进口温度对化学反应路径及生长速率的影响关系。结果表明，两种 进口情况下，随着进口温度的升高，生长速率均呈现先增大后减小的趋势。预、混合时，进口温度约5∞ K 时生长速 率最大;分隔进口时，进口温度约8∞ K 时生长速率最大。这主要是由于，生长速率取决于衬底上方边界层内含 Ga 粒子的浓度梯度。预?昆合时，衬底前沿的含 Ga 粒子主要为 MMGa ，其浓度随进口温度的变化趋势与生长速率的变 化趋势一致。分隔进口时，衬底前沿的含 Ga 粒子 MMGa 和 DMGaNHz 浓度处于同一数量级。随进口温度的升高， 前者略有增加，而后者明显增大。当预I昆合的进口温度超过5∞ K 、分隔进口的进口温度超过8∞ K 时，衬底前沿 的 MMGa 和 DMGaNHz 的峰值或明显下降、或明显离开衬底，使得含Ga 粒子的浓度梯度显著下降，造成生长速率下 降。 关键词:MOCVD;进口温度;GaN;数值模拟 中固分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号: 1000-985 X( 2015) 1O-2778 ..Q8 Effect of Inlet Temperature on Growth of GaN in a Vertical RDR MOCVD Reactor l ZUO Rαn ， WANG Zong-qi , CHEN Peni (1. S hoo1 of Energy and Power Engineering , Jiangsu University , Zhenjiang 2120日， China; 2. School of Electronic S(ience and Engin!ering , Nanjing University , Nanjing 21C的93 ， China) (R町eived 22 April 2015 ， αccepted 2 June 2015) Abstract: The effect of inlet temperature on GaN MOCVD growth in a rotating disk reactor was studied by