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以致多年来的应用范畴也各不相同,SRAM
电子发烧友 电子技术论坛
PSRAM 伪静态随机存取内存
郭长佑/DIGITIMES
摘要
所谓的PSRAM (Pseudo SRAM ;PSRAM ),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,
所以才叫Pseudo (伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相
关。
关键词:PSRAM ,伪静态随机存取内存
所谓的PSRAM (Pseudo SRAM ;PSRAM ),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,
所以才叫Pseudo (伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相
关。
过去在一般性的嵌入式设计上,其内存部分多是使用 SRAM,之后由于计算机等电子数据
设备的成长,使设备内部所用的内存容量大幅增加,这时就难以使用 SRAM 来实现大容量
的内存系统,而必须使用DRAM ,DRAM 每个位的记忆电路是以 1 个晶体管与 1 个电容所
构成,相对于SRAM 每个位需要4∼6 个晶体管才能构成,DRAM 拥有比SRAM 高4∼6 倍的
记忆密度。
虽然DRAM 在记忆密度、电路成本等方面优于SRAM,但DRAM 也有不如SRAM 的地方,
SRAM 是以持续供电的方式来记忆数据,所以运作上相当耗电,相对的 DRAM 实行刷新
(Refresh )方式来持留住记忆内容,如此虽比较省电,但记忆数据的存取速度就不如SRAM。
此外,DRAM 因为刷新电路、存取电路等设计,使的系统接口的线路较SRAM 复杂,SRAM
没有刷新电路且接口设计单纯、直觉,如此对电子工程师而言,除非真有 SRAM 无法满足
的高容量、低用电等设计要求,否则都尽可能实行SRAM,因为SRAM 的电路设计比DRAM
简洁、容易。
正因为SRAM 与DRAM 有诸多特性是完全相左,以致多年来的应用范畴也各不相同,SRAM
多用在少数容量的高速存取应用上,例如高速处理器的高速缓存、高速网络设备(如:路由
器、交换机)的内存等。而DRAM 就用在大量记忆需求的应用上,如激光打印机、高清晰
数字电视等。
不过,在手持式应用的设计上,就同时需要DRAM 与SRAM 的特性,既需要SRAM 的电
路简洁特性(因为印刷电路板面积小,线路数能减少就少),又需要DRAM 的低用电(因使
用电池运作)。此外芯片用数也多在 1、2 个芯片左右,所以也不易同时使用DRAM 芯片与
SRAM 芯片,只能择一而用。
既然只能择一而用,真正权衡取舍的结果是使用DRAM ,但必须将DRAM 的存取接口加以
简化,作法是将刷新电路改成自行刷新(Self-Refresh ),然后接口简化成兼容、近似原有SRAM
的接口,如此就成了PSRAM ,有时也称PSDRAM 。
PSRAM 标准各有技术阵营
电子发烧友 电子技术论坛
PSRAM 的概念是改变DRAM 原有的存取接口设计,使其接口兼容于原有SRAM 的存取接
口,且在存取的时序等其它特性上也相类似。不过光有概念还是不够,各业者依然组成了联
盟阵营,订立出自己依循的PSRAM 规范及标准。
举例来说,由美国柏士(Cypress )、南韩EMLSI 、日本Renesas (瑞萨)、台湾Etron (钰创)、
南韩Hynix (海力士)、美国美光(Micron )、台湾京典硅旺(Enable )、德国Infineon (英飞
凌)、南韩Silicon 7、以及台湾华邦电子(Winbond )等所组成的CellularRAM 联盟,共同制
订CellularRAM 的标准,目前已有1.0 版、1.5 版标准的规范。
CellularRAM 并非是唯一的PSRAM 标准联盟,恩益禧(NEC )、日本富士通(Fujitsu )、日
本东芝(Toshiba )等3 家日系半导体业者也合组了CosmoRAM 联盟,CosmoRAM 的全称
为「Common Specifications for Mobile RAM 」,新版标准为Rev 4 版。
营销称呼混淆技术分别
PSRAM 除了有联盟阵营的标准差异外,另一个让现有电子工程师经常困扰的是PSRAM 的
名称,例如MoSys 公司的独家硅智财技术:1T-SRAM 就常被人以为是PSRAM ,但其实两
者有所不同,然确实PSRAM 有时也被称为1T SRAM。
或者南韩的Silicon 7 公司将PSRAM 称为CCSRAM (CompactCell SR
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