数电PPT第三章 门电路.ppt

第三章 门电路 本章主要内容 3.1 概述 表3.1.1给出正负逻辑对应的门电路类型，由表中可以看出： 3. 高低电平的实现 互补开关电路的原理为： 4. 数字逻辑电路的概述 对于图3.2.1所示二极管开关电路，由于二极管具有单向导电性，故它可相当受外加电压控制的开关。 3.2.2 二极管与门 其输入输出及真值表如表3.2.1和3.2.2所示 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点: 3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 NMOS共源极接法电路如图3.3.2（a）所示，输出特性如(b)所示 增强型NMOS共源极接法电路如图3.3.3（a）所示，转移特性如(b)所示 b. 增强型PMOS 增强型PMOS共源极接法电路如图3.3.5（a）所示，转移特性如(b)所示 c. 耗尽型NMOS 耗尽型NMOS共源极接法电路如图3.3.7（a）所示，转移特性如(b)所示 d. 耗尽型PMOS 耗尽型PMOS共源极接法电路如图3.3.9（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 2.工作原理 特点 二、电压传输特性和电流传输特性 AB段：输入低电平 BC段： 2.电流传输特性 CD段：输入高电平 BC段： 三、输入端噪声容限 2.计算方法 其中： 则输入噪声容限为 输入噪声容限和电源电压VDD有关，当VDD增加时，电压传输特性右移，如图3.3.14所示 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 图3.3.15为CMOS反相器的两种常用保护电路 其输入特性如图3.3.16所示 二、输出特性 其特性曲线如图3.3.18所示 2.高电平输出特性 其特性曲线如图3.3.19所示 3.3.4 CMOS反相器的动态特性（自学） 一、传输延迟时间tPHL和tPLH 图3.3.20为CMOS非门的输出输入波形。 二、交流噪声容限 三、动态功耗 两个管子同时导通时的功耗PT为 总的动态功耗为 3.3.5 其他类型的CMOS逻辑门 故： 2. 或非门： 3.带缓冲级的CMOS门电路 ②输出的高低电平受输入端数目的影响 改进电路均采用带缓冲级的结构，如图3.3.23为带缓冲级的CMOS与非门电路 输出为 二、漏极开路输出的门电路（OD门） 图3.3.25所示为OD门的逻辑符号 3.“线与”的实现 其工作原理为： 输出端逻辑式为 ② OD门输出为低电平 5.OD门的特点： ②电平转换 ③实现数据采集 解：驱动管输出为高电平时 三、 CMOS传输门 2.工作原理 （2）C＝1， C?＝0 *CMOS双向模拟开关 CMOS双向模拟开关电路是由CMOS传输门和反相器组成，如图3.3.36所示。和CMOS传输门一样，它也是属于双向器件。 当C＝0时，开关截止，输出电压为 其中KTG为输出电压和输入电压的比值，称为电压传输系数，即 四、三态输出的CMOS门电路 其工作原理为 图3.3.39为另一种CMOS三态非门，使能端（控制端）也是低电平有效 图3.3.40所示电路也是一种CMOS三态门 例3.3.2 CMOS门电路如图3.3.41所示，试分析电路的逻辑功能 (b)对于图3.3.42（b）所示电路，其输出输入真值表为 例3.3.4 电路如图3.3.43所示。试分析其逻辑功能 三态门的应用 b. 数据的双向传输 3.5.1 双极型三极管的开关特性 例3.5.1 电路如图3.5.2所示，已知 VIH=5V，VIL=0V，β=20，VCE(sat) = 0.1V，试计算参数设计是否合理 利用戴维南定理等效成电压源的形式如图3.5.4所示 等效电路如图3.5.5所示，则当VIH=5V时： 由于 三极管开关状态下的等效电路如图3.5.6所示 五、双极型三极管的动态开关特性 六 、三极管反相器 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 (b)高速系列： 一、电路结构 ①当vI＝VIL＝0.2V时 特点： 当输出为高电平时，其输出阻抗低，具有很强的带负载能力，可提供5mA的输出电流 三、电压传输特性 a. AB段： b. BC段： c. CD段： d. DE段： 三、输入噪声容限 计算方法与CMOS电路一样，如图3.5.11所示，其输入高电平噪声容限VNH和输入低电平噪声容限VNL的计算方法为 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 二、输出特性 其高电平输出特性曲线如图3.5.15所示 2.低电平输出特性 其低电平输出特性曲线如图3.5.17所示 3.扇出系数（Fan-out）的计算 当输出为低电平时，设可带N2个非门，则有 四、 输入端的负载特性 TTL反相器输