材料制备科学与技术.doc

晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这种集合体是一些网络，称为晶格。 晶体缺陷：在实际的晶体中，原子规则排列遭到破坏可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。 位错能（位错的应变能）：晶体中位错的存在会引起点阵畸变，导致能量增高，这种增加的能量即为位错能，包括位错的核心能量和弹性应变能量（占总能量的9/10）。 位错反应：位错的合并于分解即晶体中不同柏氏矢量的位错线合并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏矢量不同的位错线。 柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别），形成所谓的“柯氏气团”。 过冷度：指熔融金属平衡状态下的相变温度与实际相变温度的差值。每一种物质都有其平衡结晶温度即理论结晶温度，但在实际结晶过程中，实际结晶温度总是低于理论结晶温度，两者的温度差值即为过冷度。 均匀成核：在亚稳相系统中空间各点出现稳定相的几率都是相同的。不借助任何外来质点，通过母相自身的原子结构起伏和成分起伏、能量起伏形成结晶核心的现象。 非均匀成核：在亚稳相系统中稳定相优先出现在系统中的某些局部，称为非均匀成核 自发形核：指液态金属绝对纯净，无任何杂质，也不和器壁接触，只是依靠液态金属能量的变化，由晶胚直接生核的过程。 非自发形核：晶核依附于外来杂质（包括液态内部的固相质点或与其他固体接触的界面）而形成的现象。 成核率：单位时间、单位体积内能发展成为晶体的晶核数，用I表示。 平衡分配系数：指在固液两相体系达平衡状态时，溶质在两相中的浓度的比值，即Ko=Cs/CL .。Ko为平衡分凝（分配）系数；Cs、CL分别为固相与液相的平衡成分。 平衡凝固：在一定的压力条件下，凝固体系的温度、成分完全由相应合金系的平衡相图所规定，这种理想状态下的凝固过程即平衡凝固。 成分过冷：由于在不平衡凝固时，液相中溶质分布不均匀，在正常温度梯度下也会引起过冷。这种由于成分不均匀引起的过冷称为成分过冷。 成分偏析：由于凝固或固态相变而导致的合金中化学成分的不均匀分布。 宏观偏析：在不存在成分过冷且晶体以平面方式生长时，先结晶部分的溶质浓度低，后结晶部分的溶质浓度高，晶体宏观各区成分不均匀，此类偏析称为宏观偏析。 胞状偏析：在有小的成分过冷，晶体以胞状方式生长时，先结晶的胞状凸出部分溶质含量低，被排出的溶质向周围扩散，在侧向富集，最后结晶，因而胞晶内部溶质浓度低，形成胞状偏析。 树枝状偏析：当成分过冷很大，晶体以树枝状方式生长时，先结晶的枝晶主干部分溶质含量低，后结晶的枝晶外周部分富集溶质，形成树枝状偏析。 1.熔盐生长法（助熔剂法、高温溶液法、熔盐法）：是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。 物理气相沉积（PVD)技术在一定的真空条件下加热被蒸镀材料，使其熔化(或升华)并形成原子、分子或原子团组成的蒸气，凝结在基底表面成膜。溅射是一种物理气相淀积技术，它是形容固体靶中的原子被高能量离子撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射过程中的离子通常来自等离子体 在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方法 奇异面：表面能级图中能量曲面上出现极小值的点所对应的界面。奇异面是表面能较低的晶面，一般来说是低指数面，也是密面积。 邻位面：取向在奇异面邻近的晶面。由于界面能效应，邻位面往往有一定组态的台阶构成。 非奇异面：除奇异面与邻位面的其他取向的晶面。 杰克逊模型的假设：晶体生长主要取决于晶体的界面是光滑界面还是粗糙界面，而这又决定于晶体的种类和晶体生长时的热力学条件，该假设针对的是所有界面，而不是某一种界面。 表面熔化温度：在温度较低时光滑界面上的粗糙度是很小的，虽然它也随温度增加而增加，但增加不快；但当温度增加到某临界值To时，界面的粗糙度突然增加，此后随温度增加粗糙度就增加得很快了，此临界温度Tc称为表面熔化温度。 界面能位垒：在表面能作用下，界面面积有缩小的趋势，便产生了附加压力，称界面能位垒。 界面相变熵：，其中α是两个因子的乘积，L0是单个原子相变时内能的改变，也可近似地看成是单个原子的相变潜热，Te是两相的平衡温度，k是玻尔兹曼常数。 物质相变熵：Lo/Te是单个原子相变时熵的改变，决定于相变潜热和两相的平衡温度，即不仅取决于构成系统的物质，还决定于系统中共存的两相的类别。 界面取向因子：η1/Z，对给定的晶体，其结构是确定的，界面的面指数不同，η1/Z就不同，α也就不同。 浸镀：由一种金属从溶液中置换另一种金属的置换反应而在金属表面产生牢固金属沉积层的过程。就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是