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大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展

· 46 · 材料导报 A:综述篇 2012年 7月(上)第26卷第 7期 大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展 钟柳明 ,王 占勇 ,金 敏 ,张伟荣 ,刘文庆 ,徐家跃 (1 上海大学微结构重点实验室,上海 200444;2 上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海 201418) 摘要 介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展 ,综述了大尺寸znTe单晶不同生 长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析 了为解决zn,re生长过程 中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提 高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求 解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考。 关键词 Ⅱ一Ⅵ族化合物 ZnTe 单晶生长 中图分类号 :0782;TM23 文献标识码 :A CurrentStatusofGrowthofLarge-diameterZllTeSingleCrystals ZHONGLiuming ,WANG Zhanyong,JIN Min ,ZHANGWeirong , LIU Wenqing,XU Jiayue (1 KeyLaboratoryofAdvancedMicroanalysis,ShanghaiUniversity,Shanghai200444;2 Departmentof MaterialsScienceandEngineering,ShanghaiInstituteofTechnology,Shanghai201418) Abstract Ⅱ一VIcompoundsemiconductormaterialswithexcellentoptica1,electricalandotherfunctions,have greatpotentialapplicationsintheI.ED,solarandotherareas.Asthefocusofopticalmaterialsrecently,thereare manydifficultiestogrow large-sizesinglecrystalstability.Thecurrentstatusofgrowthoflarge-diameterZnTesingle crystalswerediscussed.Muchemphasiswasfocusedondifferentsingle-crystalgrowthmechanism,andtheireffectson size,defectsandperformance,soastoseeksolutionstogrow large-sizecrysta1. Keywords Ⅱ一VIcompound,ZnTe,singlecrystalgrowth 作为一种光学性能优异 的 Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料 , 体,Ⅱ一Ⅵ族半导体材料具有低热导率和层错能等特点 ,因 ZnTe一直备受关注l】’。一方面,ZnTe晶体是直接带隙材 此晶体生长需要更低的温度梯度 J。这些都加大了高质量、 料,其能隙宽度较大,室温下的禁带宽度为 2.26eV,而且还 大尺寸ZnTe单 晶的生长难度。 可以通过重掺杂改变其带隙宽度,因此在薄膜太阳电池 、半 目前 ,ZnTe大尺寸单 晶的生长技术主要有液相法和气 导体发光器件等领域应用 的潜力很大。另一方面 ,ZnTe晶 相法,液相法又 包括熔体法和溶 液法,如液 封泡生 法 体具有面心立方闪锌矿结构 ,属于非中心对称结构,是一种 (IEK)[5]、垂直梯度凝 固法 (VGF)l6]、垂直布里奇曼法 具有良好位相匹配特性和较好光电性质的晶体 ,是高亮度绿 (VB)_l8]和温度梯度溶液法(TGSG)_】等多种方法 ;而气相法 光 LED用的半导体材料 ,具有

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