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第十章 扫描电子显微分析（SEM） Scanning Electron Microscope 扫描电子显微镜的成像原理和透射电子显微镜不同。它不用电磁透镜放大成像，而是以类似电视摄影显像的方式，利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发出来的各种物理信号来调制成像的。由于扫描电子显微镜的景深远比光学显微镜大，可以用它进行显微断口分析。用扫描电子显微镜观察断口时，样品不必复制，可直接进行观察，这给分析带来极大的方便。因此，目前显微断口的分析工作大都是用扫描电子显微镜来完成的。 由于电子枪的效率不断提高，使扫描电子显微镜的样品室附近的空间增大，可以装入更多的探测器。因此,目前的扫描电子显微镜不只是分析形貌像．它可以和其它分析仪器相组合，使人们能在同一台仪器上进行形貌、微区成分和晶体结构等多种微观组织结构信息的同位分析。 扫描电镜 从单一的形貌观察（二次电子像）发展 到吸收图象、电子荧光图象、扫描透镜电 子图象、电位对比图象、X射线图象、X 射线显微分析装置、背散射电子衍射等。 扫描电子显微分析（SEM） 应用领域： 地学、材料学、生物学、医学、冶金、刑侦等各行各业。 普通SEM——低真空SEM——环境SEM 金属及一般分析 表面腐蚀 生物样 一、扫描电镜工作原理 图8-1 扫描电镜原理示意图 二、扫描电镜结构 1.电子光学系统 2.偏转系统 3.信号检测放大系统 4.图像显示和记录系统 5.电源系统 6.真空系统 1.电子光学系统 电子枪、电磁聚光镜、光栏、样品室 为获得较高的信号强度和扫描像分辨率，扫描电子束应具有较高的亮度和尽可能小的束斑直径 电子束斑的亮度和直径与电子枪的类型有关 扫描电子显微镜所要求的电子束斑直径和亮度还要靠电磁透镜协助完成 2.偏转系统：使电子束产生横向偏转 3.信号检测放大系统：收集样品在入射电子束作用下产生的各种物理信号，并进行放大 图8-4二次电子和背反射电子收集器示意图 4.图像显示和记录系统：将信号检测放大系统输出的调制信号转换为能显示在阴极射线管显示屏上的图像，供观察和记录 5.电源系统：为扫描电子显微镜各部分提供所需要的电源 6.真空系统：确保电子光学系统正常工作、防止样品污染、保证灯丝的工作寿命等 SEM的主要性能 （1）放大倍数：M＝Ac/As, Ac是阴极射线管电子束在荧光屏上的扫描振幅，一般为100mm，As是电子束在样品表面的扫描振幅。M＝20－20万倍 SEM的主要性能 （2）分辨率： ①扫描电子束直径； ②入射电子束在样品中的扩展效应； SEM的主要性能 ③操作方式及其所用的调制信号； ④信号噪音比； ⑤杂散磁场； ⑥机械振动 （3）景深：透镜物平面允许的轴向偏差定义为透镜的景深，用ΔF(Ff)来表示. §10.2 像衬原理与应用 像的衬度就是像的各部分强度相对于其平均强度的变化 1. 二次电子像衬度 在单电子激发过程中被入射电子轰击出来的核外电子叫做二次电子。表层5－10μm，能量较低（小于50eV） 若入射电子束强度为I0，二次电子信号强度为Is,则二次电子产额δ＝ Is／ I0 影响二次电子产额的主要因素： （1）二次电子能谱特性：几个eV量大 （2）入射电子的能量： δ有极值 （3）材料的原子序数：略增加 （4）样品倾斜角θ： δ∝（sec θ)n,n=1.3(轻元素），1（中等元素），0.8（重元素） 二次电子像衬度分类 （1）形貌衬度：当入射电子方向一定时，样品表面的凸凹形貌就决定了电子束的不同倾斜角θ，也就决定了二次电子的产额。尖棱、小粒子、坑穴边缘显得异常亮 （2）成分衬度：部分二次电子是由背散射电子激发的，而背散射电子与原子序数Z关系密切。当入射电子能量小于5keV时，二次电子能反映表面薄层的成分变化 （3）电压衬度：局部电位将影响二次电子的轨迹和强度，造成正偏压的地方图像较暗，而负偏压的地方图像较亮 （4）磁衬度（第一类）：样品表面处的外延磁场会造成二次电子的偏转而形成衬度 2.背散射电子像衬度 若入射电子束强度为I0，背散射电子信号强度为IR,则二次电子产额δ＝ IR／ I0 影响背散射电子产额的因素： （1）原子序数： δ增大 （2）入射电子能量E0：10－100keV,δ与E0无关，5eV，高Z与低Z元素间背散射电子产额的差别变小 （3）样品倾斜角θ：〈50o时， δ与θ无关，50o－90o， δ增大 背散射电子衬度的种类： （1）成分衬度：原子序数高，信号强 （2）形貌衬度：不如二次电子对形貌敏感 （3）磁衬度（第二类）：外界磁场可能会影响两次碰撞之间的轨迹