低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法.PDF

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102051589A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102051589 A (43)申请公布日 2011.05.11 (21)申请号 201010559109.0 (22)申请日 2010.11.25 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200 号 (72)发明人 王海洋 孙晨 袁国亮 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 朱显国 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/28 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 3 页 (54)发明名称 低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法 (57)摘要 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄 膜及外延薄膜的方法，其工艺如下：根据应用需 要选择合适的衬底和靶材，在衬底上生长碳化硅 薄膜；将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空 生长腔，使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真 空；对衬底使用加热器加热；在衬底加热的同时 辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底； 使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，沉积 过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型； 对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。本发明 极大地降低碳化硅薄膜的生长温度，制备出包括 非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC 和 15R-SiC 结构的择优取向的晶体薄膜，在半导体 器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。 A 9 8 5 1 5 0 2 0 1 N C CN 102051589 A 权 利 要 求 书 CN 102051595 A 1/1 页 1. 一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其特征在于：将衬底表面温度分 为三个部分, 第一部分是由加热系统对衬底加热所显示的温度，第二部分，溅射出来的粒 子沉积在衬底上，溅射出来的粒子携带有大量的能量，沉积的同时也提高了衬底表面的能 量，第三部分，在生长过程的同时，使用外部光源照射在衬底片上，对衬底表面进行光催化， 提高衬底表面的活性和能量；其中二、三部分的能量无法通过生长系统测试，通过增加第 二、第三部分的能量，降低生长碳化硅薄膜过程中加热系统的温度；具体步骤如下： 第一步：根据应用需要选择合适的衬底，在适合的衬底上生长碳化硅薄膜； 第二步：将选用的衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔，使用机械泵和分子泵 对真空生长腔抽真空； 第三步：对衬底使用加热器加热； 第四步：在衬底加热的同时辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底，对衬底进 行辅助光催化，提高衬底表面活性； 第五步：在衬底加热的同时，使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，使靶材物质溅 射出来沉积在衬底上，通过增加溅射粒子的能量和薄膜生长速度，提高样品表面的实际温 度和表面活性，从而控制的碳化硅晶体类型； 第六步：对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。 2. 根据权利要求1 所述的低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其特征在于： 第一步中选用的衬底包括单晶硅、蓝宝石或碳化硅。 3. 根据权利要求1 所述的低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其特征在于： -3 第二步中真空生长腔内保持气压10 以下。 4. 根据权利要求1 所述的低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方